第12期 eMMC/eMCP、SSD持续升温 Flash市场缺货恐将持续
2013/4/8 0:00:00 中国闪存市场eMMC/eMCP、SSD持续升温
Flash市场缺货恐将持续中国闪存市场网第12期深度报道非完整版 完整报道--PDF版下载
市场缺货持续，主要是eMMC/eMCP和SSD消耗了大部分NAND Flash产能，加上上游芯片厂新产能产出有限，导致没有足够的NAND Flash芯片供应给闪存卡(Micro SD、SD)和U盘(U盘模块、USB3.0(PCBA)) 等产品，此类闪存产品价格持续3个多月涨势，带动整体价格指数走高。据中国闪存市场网价格指数走势图，2013年1-2月NAND Flash市场综合价格指数累积上涨15%，3月上旬价格指数从1639一直上扬至1929，再涨18%，依然持续上涨走势，价格指数已回到2011年底的水平了。
3月上旬部分产品价格大涨，价格涨幅已超出市场预期，价格维持高价不坠。下旬部分商家开始获利回吐，影响综合价格指数呈现缓跌之势，价格指数基本维持在1850左右上下波动，下旬最大跌幅大约为4%。展望后续价格走势，4月初中国清明假期和五一假期，以及新智能型手机陆续上市效应带动，市场供不应求的情况恐加深，影响价格上涨迹象较为显著。
上游芯片厂NAND Flash供货吃紧 看涨价格 2012上半年NAND Flash产业陷入供过于求的困境，价格一度跌入低谷，2012年除了三星借助智能型手机销售营收稳定小幅增长外，大部分厂商营收均表现不尽如人意，东芝、英特尔、SK海力士营收表现失色，美光更是连续几个季度缴出亏损成绩单。2012年惨状让上游芯片厂有跌价恐惧了，至于2013年即使没有足够的产能供应，也不想出现供过于求，价格惨跌，营运亏损严重的情况。
三星、东芝、SK Hynix等在2012年下半年已减少了NAND Flash芯片产出量，2013年又大幅度的节制NAND Flash新产能投资额。需求端eMMC/eMCP在智能型手机和平板电脑出货带动下，需求数倍增长。SSD在PC市场虽然不如预期，不过三星、英特尔、美光等新品出货量持续上升，同时SSD逐渐向企业和服务器市场应用转移，加大了NAND Flash芯片的消耗量，NAND Flash应用市场需求突飞猛进，让2013年NAND Flash芯片供应相对需求明显不足。2013年NAND Flash芯片厂并没有大幅增加NAND Flash新产能的意愿，就算改生产线应对市场需求，也需要1季度以上的生产周期才能开始出货，所以2013年上半年NAND Flash恐持续缺货，影响NAND Flash相关产品价格继续维持高位或上涨。
供货紧缺 闪存卡、NAND Flash颗粒价格创1年新高 2013年1月-3月NAND Flash缺货严重，仅表现在闪存卡、U盘、NAND Flash 颗粒等产品上，影响价格持续3个多月的涨势，尤其是Micro SD、NAND Flash颗粒价格已回到2011年的价位了，创1年新高，不过3月下旬价格有小幅回落。未来几个月闪存卡和U盘等产品所用的NAND Flash供货吃紧恐未能明显改善，涨价趋势将持续。
3月市场缺货影响持续扩大，大部分NAND Flash产品涨价表现在3月上旬，据中国闪存市场网报价显示，Samsung、Intel、SK Hynix、Micron的NAND Flash MLC芯片累计近2个月最大涨幅平均在30%左右。例如：Samsung 32Gb MLC (GBG) 价格3月上旬上涨20%，最高价站上USD3.6美金，累积2个月涨幅达23%，下旬价格跌至USD3.42美金；SK Hynix 64Gb MLC (UCG)价格3月上旬上涨11%，最高价涨至USD5.02美金，累积2个月涨幅达14%，下旬下跌至USD4.92；Samsung 16Gb MLC (GAG)涨幅更高，累积3个月达54%。
NAND Flash TLC 价格在2月无明显波动，3月明显表现为上扬走势，据中国闪存市场网报价显示，Samsung 64Gb TLC (ACG)价格由USD3.6美金上扬至USD4.05美金，大约上涨13%。Samsung 64Gb TLC (ACG) 价格由USD1.9美金上扬至USD3.72美金，上涨96%。
众多闪存产品中，Micro SD价格上涨趋势最为突出，2013年1月-3月上旬呈现大涨趋势，据中国闪存市场网报价显示，Micro SDHC 4GB(CL2-6)深圳市场价格3月上旬上涨至最高价人民币25.2元，上涨37%，累积涨幅高达90%，截止3月底价格回落至人民币23.5元；Micro SDHC 8GB(CL2-6)深圳市场价格涨至最高价人民币29.6元，上涨21%，累积涨幅高达30%，3月底价格回落至人民币26.5元；Micro SD 2GB累积3个月涨幅达73%。SDHC4GB(CL2)、SDHC 8GB(CL2)价格累计3个月涨幅分别为20%、10%。
图2：3月深圳市场Micro SDHC 4GB(CL2-6)价格走势图 (详情请见PDF文档)
至于U盘模块、USB3.0(PCBA)产品也随着这波缺货潮，价格持续走高，据中国闪存市场网报价显示，U盘模块16GB(TLC)在3月涨至最高价人民币53元，累计3个月涨幅达22%；U盘模块32GB(TLC) 涨至最高价人民币102元，累计3个月涨幅达13%；USB3.0(PCBA)产品由于价格偏高，而且USB 3.0产品目前并不是被广泛应用，所以在1月和2月未表现大幅度上扬，不过上游缺货影响不断扩大，也影响USB3.0(PCBA)价格在3月呈现大幅上扬走势，USB3.0(PCBA) 32GB涨至最高价人民币99元，价格涨7%；USB3.0(PCBA) 64GB涨至最高价人民币194元，价格涨5%。
缺货影响扩大 eMMC价格涨 SSD价格持续下滑 2013年1月-2月eMMC市场供需平衡，价格走势平稳，但是eMMC/eMCP需求量随新智能型手机和平板电脑出货而不断提升，MLC NAND Flash芯片被持续大量消耗，市场需求增长如此之快是上游芯片厂始料未及的，同时4核平板芯片的发展让eMMC存储容量向高容量提升。上游芯片厂NAND Flash芯片在1月-2月还能够维持eMMC供应平衡，不过未来几个月eMMC恐将出现明显的缺货现象。3月eMMC部分产品价格有明显涨幅，也不排除eMMC生产商部分eMMC容量已出现供货紧缺的情况。
据中国闪存市场网报价显示，eMMC 2GB MLC V4.41产品由于市场需求有限，价格在3月走势相对平稳，最低价和平均价出现USD0.1美金的涨价；目前低端智能型手机均开始搭配eMCP 4+4为主，其内部规格为4GB eMMC+4Gb LPDDR2。智能手机嵌入式市场对4GB MLC的容量需求迅速增加，导致市场上4GB TSOP和4GB eMMC资源锐减，价格在迅速上涨，带动3月份eMMC 4GB平均价格上涨至USD3.45美金，价格表现为微涨，但eMMC供货已趋于更加紧张。而第二季度，随着联发科6577和6589平台智能手机的迅速上量，一线手机品牌厂开始集体进攻中低端市场，会导致4GB MLC资源的更加匮乏。而且国内平板市场领域，市场出现了淡季不淡现象，各芯片厂商都开始主力推广4核芯片，平板搭载的eMMC容量都是以8GB、16GB为主，此类容量的eMMC整体市场需求不断升温。产能持续大量消耗让部分生产商已出现供货紧缺，影响价格在3月表现涨势，跟以前走势相比应该算是大涨。3月份eMMC 8GB平均价格从USD5.95美金上涨至6.4美金，上涨8%；eMMC 16GB 3月平均价格上涨3%至USD 11美金；至于eMMC 32GB产品，目前仅表现在高端智能型手机和平板电脑上，消费者需求量有限，3月平均价格涨至USD20.6美金，表现微涨。
图6：3月香港市场eMMC 8GB MLC V4.41价格走势图(详情请见PDF文档)
图7：3月香港市场eMMC 16GB MLC V4.41价格走势图(详情请见PDF文档)
eMMC和SSD都是NAND Flash产业看好的产品，eMMC产品在3月表现出微涨或平均5%的趋势，NAND Flash颗粒、闪存卡等产品更是出现20%的涨势，SSD却依然维持微幅下滑走势。
进一步分析，三星、美光、英特尔等从2011年开始就把SSD产品作为重点发展产品之一，由于SSD容量从128GB起跳，所用的NAND Flash芯片相当大，上游芯片厂一定要预备足够的产能供SSD所用，倘若SSD因供货短缺而造成价格上涨，在消费性产品市场及服务器市场上应用便更难扩展。 再者，如果SSD市场孵化夭折，恐再现NAND Flash供过于求的混乱局面，NAND Flash相关产品也将再现2012上半年跌势，所以上游芯片厂对SSD所用的NAND Flash不会缺货，这也是2013年1月-3月SSD持续缓幅下滑的主因。据中国闪存市场网报价显示，整体SSD产品2013年1月-3月累计跌幅均在2%以内。
上游芯片厂供货失衡 闪存产品涨势超出市场预期 据上述的价格涨幅，Micro SDHC 4GB(CL2-6)累积3个月最高涨幅达90%，Micro SDHC 8GB(CL2-6)累积最高上涨30%，Micro SD 2GB累积最高涨幅达73%，短短的3个月涨幅已创历史新高，很显然价格涨幅过大，已经超出市场预期，而且从图9的历史价格数据显示，Micro SD、NAND Flash颗粒的价格区间以及接近2011年的价格位置了。
从价格大趋分析，以Micro SDHC产品为例，4GB和8GB是中低端智能型手机主流存储容量，随着NAND Flash纳米技术向1Xnm等级迈进，NAND Flash生产成本会不断下滑，Micro SD价格也应该持续下滑才对，更何况Micro SD采用TLC NAND Flash生产，生产成本更低，即使不是持续下滑，也不会出现大幅度飙涨超过50%以上，2013年价格波动幅度已经超出了波动范围，偏离了正常发展的趋势轨道。
部分NAND Flash产品不合理的涨价很可能会破坏其他闪存产品的生态平衡，从图9中2013年Micro SD、NAND 颗粒、eMMC历史价格显示，Micro SD 2GB和4GB价格分别已经临近或者超过eMMC 2GB和4GB最高价和平均价，Micro SD市场需求已随着智能型手机转为内嵌eMMC存储持续萎缩，现在Micro SD价格较高，导致手机系统厂采购成本增加。很多厂商可能会将采购产品转向eMMC等内嵌存储，这样使Micro SD需求再次受到冲击，而eMMC将涌现出原本Micro SD的客户，导致eMMC需求量再增，原本供需平衡的eMMC也将面临供货紧缺的危险。同时MLC NAND Flash 16Gb和32Gb价格也站上USD3.05美金、3.6美金，增加了生产商eMMC生产压力，NAND Flash长期维持高价恐将使eMMC也涨价。
上游芯片厂NAND Flash投资减少 新产出量有限 近期NAND Flash相关产品大幅度涨价，跟上游芯片厂产能产出有很大的关系，终端应用产品智能型手机、平板电脑等移动智能设备需求量大，不仅带动NAND Flash需求成长，也带动移动处理器和Mobile DRAM需求升温，2012下半年上游芯片厂三星、东芝、SK海力士等为了改善供过于求的窘境，纷纷转换生产线生产移动处理器、Mobile DRAM等需求量大的产品。比如三星美国奥斯汀厂转生产系统逻辑芯片和芯片代工，SK-Hynix清洲工厂的M12产线改为生产DRAM与NAND Flash的混合生产线，等等。2012年NAND Flash产出量大幅度减少，影响2013年NAND Flash芯片供应量有限。
对于2013年，上游芯片厂三星、美光、海力士、东芝等对NAND Flash产业资本支出也均有所保留，据IC Insights数据显示，2013年NAND Flash产业总资本支出预估降至104亿美元，较2012年减少约6.3%。至于2012上半年欲建的NAND Flash厂房，三星中国西安厂2014年才能开始投产，东芝的Fab 5第二期工厂还没有竣工，美光收购尔必达要在今年6月才完成，新建的厂房对现在供不应求的情况根本无法支援。
除了增加投资新建产能，就只能在生产线上转换，以前从NAND Flash转换生产DRAM需要2个月时间，如今再转换生产NAND Flash既浪费资金，而且从转换到生产再到出货也至少需要1个季度的时间，更是远水解不了近渴，同时也将影响到其他产品生产量和供应量。
1Xnm级、3D架构NAND技术挑战大 产能供应受限 NAND Flash芯片厂在2013年并不会新建产线生产NAND Flash，现在只有通过NAND Flash纳米技术增加产量，一是加紧1Xnm级纳米技术量产，二是采用3D架构NAND Flash技术生产。
从2008年至今平均每12个月跨一个世代，速度超过了摩尔定律的18个月，不过从2012年开始纳米技术转换难度加大，而且向下微缩速度减缓，间接影响NAND Flash产出量。据产业人士透露，2012年三星、东芝、美光等在20nm等级左右时均出现切换不顺的情况，目前除了美光还有一点问题之外，其他的芯片厂已经解决了。根据三星原计划2013年会采用16nm技术生产NAND Flash，不过由于考虑到精准度和稳定性等问题，准备采用18nm作为过渡技术，量产稳定后再逐渐切换到16nm生产，东芝/SanDisk、美光同样采用18nm投产，虽然SK Hynix要采用15nm生产，不过能否顺利大批量的产出还有待考验。
此外，NAND Flash技术进入1Xnm之后，必须使用极紫外光(EUV)设备，这样才能有效的缩小芯片尺寸和减少成本，不过极紫外光(EUV)设备采购成本非常的高昂，如果要大规模采购的话将是一笔不菲的支出，2012年各芯片厂都没有大的获利，2013年也未有大幅度增加预计支出，在此设备布局上可能要比预期晚。
目前一体成形的3D NAND Flash技术包括P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)，TCAT(Terabit Cell Array Transistor)，VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)，VG（Vertical Gate NAND）等，立体结构不仅解决了晶粒堆栈中的干扰问题，而且减小成品芯片厚度，增加存储容量。
三星开发了VC型TCAT和VG型 VG-NAND技术，可能将用于生产3D NAND Flash，2013年底发布首款产品；东芝计划采用P-BiCS技术量产3D NAND Flash，样品出货预计在2013年下半年；SK Hynix则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash芯片，并将于2013年内完成研发工作，然后开始试产。
3D立体堆叠芯片虽然在成本、储存密度更具优势，不过由于结构复杂，对生产的NAND Flash稳定性更难把握，而且与2D完全不同，也许会出现一波换机潮，设备费用也将是要考虑的问题之一。
eMMC/eMCP、SSD产品消耗大部分NAND Flash产能 NAND Flash产业目前全球的NAND Flash供应量大约是360亿颗1GB当量，SSD市场将消耗大约30%的NAND Flash产能，智能型手机和智能终端产品使用的高品质MLC及嵌入式存储（eMMC/eMCP）大约消耗40%，NAND Flash产能用在SSD和eMMC/eMCP产品上大约超过70%的份额。大约20%的产能用在Micro SD、SD卡、U盘等产品上，其他的行业存储应用大约消耗10%。
图13: SSD和eMMC/eMCP产品消耗70%的NAND Flash(详情请见PDF文档)
三星生产NAND Flash主要工厂分别为Fab12、Fab14、Fab16，另外Austin已转为生产逻辑芯片，中国西安工厂要在2014年才能投产，三星去年NAND Flash销售额达37%，为最大的供应商。以三星规划，今年将大举开拓智能型手机和平板电脑市场，曾预计2013年手机销量5.1亿台，其中智能型手机达3.9亿台，平板计划3000-4000万台，并且三星也把SSD产品作为重点发展的产品之一。同时三星有意计划在越南兴建一座厂房，主要用于生产手机，2013年底开始投产，预计在2015年之前将越南的手机总体产能提升至2.4亿台，由此可见三星将会持续发展自家的消费电子产品，因此对外供应的NAND Flash将会越来越少。
第二大NAND Flash供应商东芝拥有Fab 4和Fab 5两座NAND Flash生产工厂，满载月产能大约50万片12吋晶圆，Fab5二期厂房还在建设中，今年很难投产，去年NAND Flash销售额市占率为31%。自从苹果与三星在智能型手机和平板电脑产品的专利战越演越烈的催化下，苹果减少了对三星部分NAND Flash的采购，转而向东芝和SK Hynix 采购，而且东芝还要供货给SanDisk生产SSD和eMMC等产品，SK Hynix也在全力发展SSD，且所拥有的M11和M12产能并不多，所以整体对外释出的产能也是相当有限的。
美光最近一个季度SSD占NAND Flash业务总量的20%，再加上供给其他SSD生产商的NAND Flash，大约有40%的Flash用在SSD上。至于英特尔，虽然和美光合资的三个NAND Flash工厂的其中两个由美光收购变全资控股，但是两者依然保持者密切的合作关系，英特尔推出的SSD新品数不胜数，且更新换代SSD快，更需要足够的NAND Flash供应，英特尔SSD的发展加速美光NAND Flash产能的消耗。
在三星、英特尔、美光、苹果等大量消耗NAND Flash的同时，诺基亚、索尼、Google等智能型手机的成长也带动eMMC/eMCP需求量提升，而且现在国内手机品牌厂华为、中兴2012年Q4全球手机销量排名前五，代表着国内手机厂商的销量日益提升。同时在全志、瑞芯微、晶晨等国内芯片厂的带动下，国产平板电脑出货量也在持续上升。现在eMMC和SSD需求量不断提升也超出市场预期。
三星Galaxy S4、苹果新一代iPhone 推升智能型手机出货量 在智能型手机市场，三星Galaxy系列和苹果的iPhone 系列产品被列为高端产品，存储容量均搭载16GB-64GB eMMC产品，是智能型手机消耗NAND Flash的主要驱动力。
3月三星新一代旗舰机Galaxy S4在3月15日发布，预计在4月开始正式销售，有人称Galaxy S4智能型手机预购订单已超过1000万支，英国手机经销商Carphone Warehouse也表示Galaxy S4预订量是Galaxy S III的近4.5倍。据IDC统计的历史数据显示，三星在Galaxy S系列和Note系列的手机销售旺的带动下，2012年Q4整体智能型手机销量站上6300万台，另有分析师预计2013年以来三星每个月平均卖出250万台智能型手机，Q1销量有望突破7000万关卡。
至于苹果iPhone销售量据分析师预期2013年Q1将维持在5000万台左右，苹果新一代iPhone可能在6月份发布，而且计划在第2季开始生产新一代iPhone，以往苹果新机发布总会带动苹果整体销量上升。2012年Q2和Q3由于消费大多等待新机发布，所以销量均跌破3000万台，Q4在新机iPhone 5的带动下销售量成长78%至4780万台，可见苹果新机的冲击力有多大。
图15:苹果、三星智能型手机季度出货量统计 (详情请见PDF文档)
智能型手机市场规模不断的扩大，主战场开始从高端向低端蔓延，三星智能型手机高中低市场通吃，诺基亚也推出多款低端新智能型手机抢占低端市场，欲在中国市场、印度等新兴市场展开大战，根据DIGITIME统计数据，2013年开始中国智能型手机需求量将超越功能机，内需市场将达3.3亿台。
在高端智能手机芯片市场具有较高地位的高通，在2013年也将加大中低端智能手机领域的投入来拓展新兴市场，尤其是中国市场。高通年初发布高端新一代骁龙800、600后，迅速推出400和200系列处理器攻中低端智能型手机市场。
至于长期主攻中低端市场的联发科和展讯，联发科目前双核芯片MT6577营收占比最高，不过四核芯片MT6589在3月预估出货3~5百万，而且MT6572芯片Q1量产，在3月也已交货，预估联发科3月智能型手机芯片出货量将冲上1500万以上，作为联发科长期对手的展讯抢占市场也当仁不让，布局动作频繁。中国市场智能型手机的成长不仅表现在芯片厂商出货量上，也体现了国内手机品牌厂华为、中兴、联想等在智能型手机市场开始能与部分国际大厂一较高下。
据IDC统计数据显示，华为、中兴能在2012年Q4全球智能型手机市占率上排名前五，华为以89.5%的成长率位居第三，仅次于苹果；中兴以48.4%的成长率排名第五，紧跟其后。虽然国内品牌厂华为、中兴与三星、苹果智能型手机销量的差距还很大，但是他们的成长也显示出国内品牌厂可发展的潜力。
国内平板芯片厂带动国产平板出货量不断提高 除了中国市场智能型手机市场可期之外，平板市场规模从2012年也开始快速发展起来，eMMC存储容量一般从8GB、16GB eMMC起跳，今年主流存储容量开始向32GB提升。目前全球依然以苹果的iPad市占率最高，不过2012年Q4市占份额已从两年前的73%下滑至43.6%，随之崛起的是三星、亚马逊、华硕等平板厂，国内平板厂商从2012年出货也表现相当可观，成为平板市场发展的新生力量。
国内主要的平板芯片厂有全志、瑞芯微、晶晨等，全志在2012年推出的A10芯片奠定了在平板芯片市场的基础，2012年底推出Cortex-A7架构的四核芯片A31，2013年已经有平板开始出货，随后又推出A31的双核芯片版本—A20，预计4月开始出货。全志从2012年初单月芯片出货量100万片增长到2013年单月出货量500万片，增长幅度接近50%，成为国内平板芯片厂出货量最大的厂商。
瑞芯微除了RK3066新品，还将推两款A9双核RK3168和RK3028芯片，或将与4月上市，2012年底推出的四核芯片RK3188也将很快上量，瑞芯微从当初不到100万片的月出货量提升至目前月出货250万片，数量已经突飞猛进。其他芯片厂晶晨月出货大约150万片，炬力一个月大约出货50万片，而且目前炬力的芯片最具低价优势，势必推升月出货量持续走高，至于盈方微一个月大约出货40万片。现在国内芯片厂均出现不同幅度的成长，累积单月芯片出货量已超过1000万片，2013年全年出货恐较2012年增一倍。
图17:国内主要平板主控厂单月芯片出货量预估(详情请见PDF文档)
除了国内芯片厂，最具低价产能优势的联发科也将进入平板芯片领域，且主攻中低价市场。据称MTK 8377双核开始大规模量产，MTK 8389将在5月开始大批量上市，联发科方案整合了基带芯片，主推可以通话的平板概念，势必在国内平板市场上再掀波澜。平板市场的中低端市场还主要以使用NAND Flash TSOP为主，而联发科芯片平台只支持eMMC或者eMCP的搭配，势必大幅增加市场对eMMC相关产品的需求。随着双核芯片的不断普及，四核芯片逐渐上量，双核芯片的出货量今年有望超越单核，而且芯片报价也将越来越低，预计2013年将是平板出货量大爆发的一年，同时持续放大的平板市场也将会引来其他领域的厂商转型，投入到平板市场来。
国内平板厂商主要有昂达、台电、蓝魔、酷比魔方等，以前国内大部分厂商一直把硬件配置当作重点发展。现在全志、瑞芯微等芯片技术不断增强且成本低廉，据中关村报价显示，昂达搭载全志A31四核芯片的V972平板售价￥1299元，台电P88平板售价更低；搭载炬力四核ATM7029芯片的蓝魔W41平板售价更在千元以下，现在低价平板也具有高端平板的配置，高性能、低价格可以说是国内平板厂商迅速发展起来的原因之一。
然而，国内厂商如果过度的拼性能和价格，市场普遍出现低价格、高配置的平板，虽然消费者起初会有新鲜感，但时间已久就会出现疲乏感，同时会使刚刚起死回生的生态链胎死腹中，重蹈山寨机经营之路的覆辙。未来内容多样化和软件应用的创新，利用产品的差异化突显自家品牌将是国内厂商要深深思考的问题。
以NAND Flash为储存的缓存服务器或将拉开序幕 除了eMMC，对于SSD产品一直是备受期待的，从2012年开始三星、美光、英特尔等纷纷推出消费性产品搭载的SSD，然而SSD所在的消费性市场仅限于游戏玩家、企业商用及薄型笔记本市场有需求，而且在PC电脑市场SSD和HDD价格相差很大。2012年Ultrabook的定价都超过6000多元人民币，且搭载纯SSD售价都在万元以上，到2013年初售价依然在万元左右，SSD在消费性产品市场的渗透率远不如预期，SSD开始转向服务器存储市场。PC所用的 SSD与服务器用的SSD 消耗NAND Flash比例是 1：4。
据IDC统计的数据显示，包括PC、平板和智能型手机在内，2011年全球智能上网设备出货量超过9亿台，2012年全球智能上网设备出货量增长29%，突破10亿台大关，其他电子产品也逐渐开始转向智能化，将会有更多的上网设备出现。随着智能上网设备的增加，有利的刺激网上购物、移动社交互动、移动存储、移动支付等各种应用迅速膨胀起来，以后这种基于互联网的通信会更加频繁。
另据中国联通/移动今年3月公布的数据，中国联通2月新增3G用户335.9万，累计用户达8348.4万；中国移动2月新增用户575.1万，由于2G用户向3G用户转移增加，新增3G用户951万超越新增总用户。据GSA数据，截至2012年第4季全球LTE用户数已接近7000万关卡，预计今年4G LTE全球用户数将冲破1亿。现在3G和4G的用户不断增加，全球WiFi普及率高速增长，用户上网量及流量均呈现持续扩大的发展趋势。
移动设备成为市场主流，网络数据访问量越来越大，为了提高大量用户访问网页、动态更新、发言、支付数据等回应速度，很多大型门户网站开始对网络服务器架构进行升级。据说Facebook准备将过去以DRAM为储存主体的Memcached缓存系统，改为以SSD为主体的McDipper。用NAND Flash作为缓存服务器存储不仅存储容量较以前提高十几倍、回应迅速，而且断电缓存数据不消失，这是DRAM永远无法做到的。
服务器缓存市场，随着智能手机、PAD、智能终端的大量普及，而且SSD的高速低功耗的性能体现击败了HDD和DRAM缓存，在2013年急剧爆发大量的SSD需求。很多大型网络企业如Facebook、Google、Microsoft等的高价采购SSD，成为Flash原厂最佳利润产品，加上PC的SSD合计已经占据到原厂的30%～40%的NAND FLASH产能。
Flash市场缺货恐将持续中国闪存市场网第12期深度报道非完整版 完整报道--PDF版下载
市场缺货持续，主要是eMMC/eMCP和SSD消耗了大部分NAND Flash产能，加上上游芯片厂新产能产出有限，导致没有足够的NAND Flash芯片供应给闪存卡(Micro SD、SD)和U盘(U盘模块、USB3.0(PCBA)) 等产品，此类闪存产品价格持续3个多月涨势，带动整体价格指数走高。据中国闪存市场网价格指数走势图，2013年1-2月NAND Flash市场综合价格指数累积上涨15%，3月上旬价格指数从1639一直上扬至1929，再涨18%，依然持续上涨走势，价格指数已回到2011年底的水平了。
3月上旬部分产品价格大涨，价格涨幅已超出市场预期，价格维持高价不坠。下旬部分商家开始获利回吐，影响综合价格指数呈现缓跌之势，价格指数基本维持在1850左右上下波动，下旬最大跌幅大约为4%。展望后续价格走势，4月初中国清明假期和五一假期，以及新智能型手机陆续上市效应带动，市场供不应求的情况恐加深，影响价格上涨迹象较为显著。
上游芯片厂NAND Flash供货吃紧 看涨价格 2012上半年NAND Flash产业陷入供过于求的困境，价格一度跌入低谷，2012年除了三星借助智能型手机销售营收稳定小幅增长外，大部分厂商营收均表现不尽如人意，东芝、英特尔、SK海力士营收表现失色，美光更是连续几个季度缴出亏损成绩单。2012年惨状让上游芯片厂有跌价恐惧了，至于2013年即使没有足够的产能供应，也不想出现供过于求，价格惨跌，营运亏损严重的情况。三星、东芝、SK Hynix等在2012年下半年已减少了NAND Flash芯片产出量，2013年又大幅度的节制NAND Flash新产能投资额。需求端eMMC/eMCP在智能型手机和平板电脑出货带动下，需求数倍增长。SSD在PC市场虽然不如预期，不过三星、英特尔、美光等新品出货量持续上升，同时SSD逐渐向企业和服务器市场应用转移，加大了NAND Flash芯片的消耗量，NAND Flash应用市场需求突飞猛进，让2013年NAND Flash芯片供应相对需求明显不足。2013年NAND Flash芯片厂并没有大幅增加NAND Flash新产能的意愿，就算改生产线应对市场需求，也需要1季度以上的生产周期才能开始出货，所以2013年上半年NAND Flash恐持续缺货，影响NAND Flash相关产品价格继续维持高位或上涨。
供货紧缺 闪存卡、NAND Flash颗粒价格创1年新高 2013年1月-3月NAND Flash缺货严重，仅表现在闪存卡、U盘、NAND Flash 颗粒等产品上，影响价格持续3个多月的涨势，尤其是Micro SD、NAND Flash颗粒价格已回到2011年的价位了，创1年新高，不过3月下旬价格有小幅回落。未来几个月闪存卡和U盘等产品所用的NAND Flash供货吃紧恐未能明显改善，涨价趋势将持续。
3月市场缺货影响持续扩大，大部分NAND Flash产品涨价表现在3月上旬，据中国闪存市场网报价显示，Samsung、Intel、SK Hynix、Micron的NAND Flash MLC芯片累计近2个月最大涨幅平均在30%左右。例如：Samsung 32Gb MLC (GBG) 价格3月上旬上涨20%，最高价站上USD3.6美金，累积2个月涨幅达23%，下旬价格跌至USD3.42美金；SK Hynix 64Gb MLC (UCG)价格3月上旬上涨11%，最高价涨至USD5.02美金，累积2个月涨幅达14%，下旬下跌至USD4.92；Samsung 16Gb MLC (GAG)涨幅更高，累积3个月达54%。
NAND Flash TLC 价格在2月无明显波动，3月明显表现为上扬走势，据中国闪存市场网报价显示，Samsung 64Gb TLC (ACG)价格由USD3.6美金上扬至USD4.05美金，大约上涨13%。Samsung 64Gb TLC (ACG) 价格由USD1.9美金上扬至USD3.72美金，上涨96%。
众多闪存产品中，Micro SD价格上涨趋势最为突出，2013年1月-3月上旬呈现大涨趋势，据中国闪存市场网报价显示，Micro SDHC 4GB(CL2-6)深圳市场价格3月上旬上涨至最高价人民币25.2元，上涨37%，累积涨幅高达90%，截止3月底价格回落至人民币23.5元；Micro SDHC 8GB(CL2-6)深圳市场价格涨至最高价人民币29.6元，上涨21%，累积涨幅高达30%，3月底价格回落至人民币26.5元；Micro SD 2GB累积3个月涨幅达73%。SDHC4GB(CL2)、SDHC 8GB(CL2)价格累计3个月涨幅分别为20%、10%。
图2：3月深圳市场Micro SDHC 4GB(CL2-6)价格走势图 (详情请见PDF文档)
至于U盘模块、USB3.0(PCBA)产品也随着这波缺货潮，价格持续走高，据中国闪存市场网报价显示，U盘模块16GB(TLC)在3月涨至最高价人民币53元，累计3个月涨幅达22%；U盘模块32GB(TLC) 涨至最高价人民币102元，累计3个月涨幅达13%；USB3.0(PCBA)产品由于价格偏高，而且USB 3.0产品目前并不是被广泛应用，所以在1月和2月未表现大幅度上扬，不过上游缺货影响不断扩大，也影响USB3.0(PCBA)价格在3月呈现大幅上扬走势，USB3.0(PCBA) 32GB涨至最高价人民币99元，价格涨7%；USB3.0(PCBA) 64GB涨至最高价人民币194元，价格涨5%。
缺货影响扩大 eMMC价格涨 SSD价格持续下滑 2013年1月-2月eMMC市场供需平衡，价格走势平稳，但是eMMC/eMCP需求量随新智能型手机和平板电脑出货而不断提升，MLC NAND Flash芯片被持续大量消耗，市场需求增长如此之快是上游芯片厂始料未及的，同时4核平板芯片的发展让eMMC存储容量向高容量提升。上游芯片厂NAND Flash芯片在1月-2月还能够维持eMMC供应平衡，不过未来几个月eMMC恐将出现明显的缺货现象。3月eMMC部分产品价格有明显涨幅，也不排除eMMC生产商部分eMMC容量已出现供货紧缺的情况。
据中国闪存市场网报价显示，eMMC 2GB MLC V4.41产品由于市场需求有限，价格在3月走势相对平稳，最低价和平均价出现USD0.1美金的涨价；目前低端智能型手机均开始搭配eMCP 4+4为主，其内部规格为4GB eMMC+4Gb LPDDR2。智能手机嵌入式市场对4GB MLC的容量需求迅速增加，导致市场上4GB TSOP和4GB eMMC资源锐减，价格在迅速上涨，带动3月份eMMC 4GB平均价格上涨至USD3.45美金，价格表现为微涨，但eMMC供货已趋于更加紧张。而第二季度，随着联发科6577和6589平台智能手机的迅速上量，一线手机品牌厂开始集体进攻中低端市场，会导致4GB MLC资源的更加匮乏。而且国内平板市场领域，市场出现了淡季不淡现象，各芯片厂商都开始主力推广4核芯片，平板搭载的eMMC容量都是以8GB、16GB为主，此类容量的eMMC整体市场需求不断升温。产能持续大量消耗让部分生产商已出现供货紧缺，影响价格在3月表现涨势，跟以前走势相比应该算是大涨。3月份eMMC 8GB平均价格从USD5.95美金上涨至6.4美金，上涨8%；eMMC 16GB 3月平均价格上涨3%至USD 11美金；至于eMMC 32GB产品，目前仅表现在高端智能型手机和平板电脑上，消费者需求量有限，3月平均价格涨至USD20.6美金，表现微涨。
图6：3月香港市场eMMC 8GB MLC V4.41价格走势图(详情请见PDF文档)
图7：3月香港市场eMMC 16GB MLC V4.41价格走势图(详情请见PDF文档)
eMMC和SSD都是NAND Flash产业看好的产品，eMMC产品在3月表现出微涨或平均5%的趋势，NAND Flash颗粒、闪存卡等产品更是出现20%的涨势，SSD却依然维持微幅下滑走势。
进一步分析，三星、美光、英特尔等从2011年开始就把SSD产品作为重点发展产品之一，由于SSD容量从128GB起跳，所用的NAND Flash芯片相当大，上游芯片厂一定要预备足够的产能供SSD所用，倘若SSD因供货短缺而造成价格上涨，在消费性产品市场及服务器市场上应用便更难扩展。 再者，如果SSD市场孵化夭折，恐再现NAND Flash供过于求的混乱局面，NAND Flash相关产品也将再现2012上半年跌势，所以上游芯片厂对SSD所用的NAND Flash不会缺货，这也是2013年1月-3月SSD持续缓幅下滑的主因。据中国闪存市场网报价显示，整体SSD产品2013年1月-3月累计跌幅均在2%以内。
上游芯片厂供货失衡 闪存产品涨势超出市场预期 据上述的价格涨幅，Micro SDHC 4GB(CL2-6)累积3个月最高涨幅达90%，Micro SDHC 8GB(CL2-6)累积最高上涨30%，Micro SD 2GB累积最高涨幅达73%，短短的3个月涨幅已创历史新高，很显然价格涨幅过大，已经超出市场预期，而且从图9的历史价格数据显示，Micro SD、NAND Flash颗粒的价格区间以及接近2011年的价格位置了。
从价格大趋分析，以Micro SDHC产品为例，4GB和8GB是中低端智能型手机主流存储容量，随着NAND Flash纳米技术向1Xnm等级迈进，NAND Flash生产成本会不断下滑，Micro SD价格也应该持续下滑才对，更何况Micro SD采用TLC NAND Flash生产，生产成本更低，即使不是持续下滑，也不会出现大幅度飙涨超过50%以上，2013年价格波动幅度已经超出了波动范围，偏离了正常发展的趋势轨道。
部分NAND Flash产品不合理的涨价很可能会破坏其他闪存产品的生态平衡，从图9中2013年Micro SD、NAND 颗粒、eMMC历史价格显示，Micro SD 2GB和4GB价格分别已经临近或者超过eMMC 2GB和4GB最高价和平均价，Micro SD市场需求已随着智能型手机转为内嵌eMMC存储持续萎缩，现在Micro SD价格较高，导致手机系统厂采购成本增加。很多厂商可能会将采购产品转向eMMC等内嵌存储，这样使Micro SD需求再次受到冲击，而eMMC将涌现出原本Micro SD的客户，导致eMMC需求量再增，原本供需平衡的eMMC也将面临供货紧缺的危险。同时MLC NAND Flash 16Gb和32Gb价格也站上USD3.05美金、3.6美金，增加了生产商eMMC生产压力，NAND Flash长期维持高价恐将使eMMC也涨价。
上游芯片厂NAND Flash投资减少 新产出量有限 近期NAND Flash相关产品大幅度涨价，跟上游芯片厂产能产出有很大的关系，终端应用产品智能型手机、平板电脑等移动智能设备需求量大，不仅带动NAND Flash需求成长，也带动移动处理器和Mobile DRAM需求升温，2012下半年上游芯片厂三星、东芝、SK海力士等为了改善供过于求的窘境，纷纷转换生产线生产移动处理器、Mobile DRAM等需求量大的产品。比如三星美国奥斯汀厂转生产系统逻辑芯片和芯片代工，SK-Hynix清洲工厂的M12产线改为生产DRAM与NAND Flash的混合生产线，等等。2012年NAND Flash产出量大幅度减少，影响2013年NAND Flash芯片供应量有限。
对于2013年，上游芯片厂三星、美光、海力士、东芝等对NAND Flash产业资本支出也均有所保留，据IC Insights数据显示，2013年NAND Flash产业总资本支出预估降至104亿美元，较2012年减少约6.3%。至于2012上半年欲建的NAND Flash厂房，三星中国西安厂2014年才能开始投产，东芝的Fab 5第二期工厂还没有竣工，美光收购尔必达要在今年6月才完成，新建的厂房对现在供不应求的情况根本无法支援。
除了增加投资新建产能，就只能在生产线上转换，以前从NAND Flash转换生产DRAM需要2个月时间，如今再转换生产NAND Flash既浪费资金，而且从转换到生产再到出货也至少需要1个季度的时间，更是远水解不了近渴，同时也将影响到其他产品生产量和供应量。
1Xnm级、3D架构NAND技术挑战大 产能供应受限 NAND Flash芯片厂在2013年并不会新建产线生产NAND Flash，现在只有通过NAND Flash纳米技术增加产量，一是加紧1Xnm级纳米技术量产，二是采用3D架构NAND Flash技术生产。
从2008年至今平均每12个月跨一个世代，速度超过了摩尔定律的18个月，不过从2012年开始纳米技术转换难度加大，而且向下微缩速度减缓，间接影响NAND Flash产出量。据产业人士透露，2012年三星、东芝、美光等在20nm等级左右时均出现切换不顺的情况，目前除了美光还有一点问题之外，其他的芯片厂已经解决了。根据三星原计划2013年会采用16nm技术生产NAND Flash，不过由于考虑到精准度和稳定性等问题，准备采用18nm作为过渡技术，量产稳定后再逐渐切换到16nm生产，东芝/SanDisk、美光同样采用18nm投产，虽然SK Hynix要采用15nm生产，不过能否顺利大批量的产出还有待考验。
此外，NAND Flash技术进入1Xnm之后，必须使用极紫外光(EUV)设备，这样才能有效的缩小芯片尺寸和减少成本，不过极紫外光(EUV)设备采购成本非常的高昂，如果要大规模采购的话将是一笔不菲的支出，2012年各芯片厂都没有大的获利，2013年也未有大幅度增加预计支出，在此设备布局上可能要比预期晚。
目前一体成形的3D NAND Flash技术包括P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)，TCAT(Terabit Cell Array Transistor)，VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)，VG（Vertical Gate NAND）等，立体结构不仅解决了晶粒堆栈中的干扰问题，而且减小成品芯片厚度，增加存储容量。
三星开发了VC型TCAT和VG型 VG-NAND技术，可能将用于生产3D NAND Flash，2013年底发布首款产品；东芝计划采用P-BiCS技术量产3D NAND Flash，样品出货预计在2013年下半年；SK Hynix则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash芯片，并将于2013年内完成研发工作，然后开始试产。
3D立体堆叠芯片虽然在成本、储存密度更具优势，不过由于结构复杂，对生产的NAND Flash稳定性更难把握，而且与2D完全不同，也许会出现一波换机潮，设备费用也将是要考虑的问题之一。
eMMC/eMCP、SSD产品消耗大部分NAND Flash产能 NAND Flash产业目前全球的NAND Flash供应量大约是360亿颗1GB当量，SSD市场将消耗大约30%的NAND Flash产能，智能型手机和智能终端产品使用的高品质MLC及嵌入式存储（eMMC/eMCP）大约消耗40%，NAND Flash产能用在SSD和eMMC/eMCP产品上大约超过70%的份额。大约20%的产能用在Micro SD、SD卡、U盘等产品上，其他的行业存储应用大约消耗10%。
图13: SSD和eMMC/eMCP产品消耗70%的NAND Flash(详情请见PDF文档)
三星生产NAND Flash主要工厂分别为Fab12、Fab14、Fab16，另外Austin已转为生产逻辑芯片，中国西安工厂要在2014年才能投产，三星去年NAND Flash销售额达37%，为最大的供应商。以三星规划，今年将大举开拓智能型手机和平板电脑市场，曾预计2013年手机销量5.1亿台，其中智能型手机达3.9亿台，平板计划3000-4000万台，并且三星也把SSD产品作为重点发展的产品之一。同时三星有意计划在越南兴建一座厂房，主要用于生产手机，2013年底开始投产，预计在2015年之前将越南的手机总体产能提升至2.4亿台，由此可见三星将会持续发展自家的消费电子产品，因此对外供应的NAND Flash将会越来越少。
第二大NAND Flash供应商东芝拥有Fab 4和Fab 5两座NAND Flash生产工厂，满载月产能大约50万片12吋晶圆，Fab5二期厂房还在建设中，今年很难投产，去年NAND Flash销售额市占率为31%。自从苹果与三星在智能型手机和平板电脑产品的专利战越演越烈的催化下，苹果减少了对三星部分NAND Flash的采购，转而向东芝和SK Hynix 采购，而且东芝还要供货给SanDisk生产SSD和eMMC等产品，SK Hynix也在全力发展SSD，且所拥有的M11和M12产能并不多，所以整体对外释出的产能也是相当有限的。
美光最近一个季度SSD占NAND Flash业务总量的20%，再加上供给其他SSD生产商的NAND Flash，大约有40%的Flash用在SSD上。至于英特尔，虽然和美光合资的三个NAND Flash工厂的其中两个由美光收购变全资控股，但是两者依然保持者密切的合作关系，英特尔推出的SSD新品数不胜数，且更新换代SSD快，更需要足够的NAND Flash供应，英特尔SSD的发展加速美光NAND Flash产能的消耗。
在三星、英特尔、美光、苹果等大量消耗NAND Flash的同时，诺基亚、索尼、Google等智能型手机的成长也带动eMMC/eMCP需求量提升，而且现在国内手机品牌厂华为、中兴2012年Q4全球手机销量排名前五，代表着国内手机厂商的销量日益提升。同时在全志、瑞芯微、晶晨等国内芯片厂的带动下，国产平板电脑出货量也在持续上升。现在eMMC和SSD需求量不断提升也超出市场预期。
三星Galaxy S4、苹果新一代iPhone 推升智能型手机出货量 在智能型手机市场，三星Galaxy系列和苹果的iPhone 系列产品被列为高端产品，存储容量均搭载16GB-64GB eMMC产品，是智能型手机消耗NAND Flash的主要驱动力。
3月三星新一代旗舰机Galaxy S4在3月15日发布，预计在4月开始正式销售，有人称Galaxy S4智能型手机预购订单已超过1000万支，英国手机经销商Carphone Warehouse也表示Galaxy S4预订量是Galaxy S III的近4.5倍。据IDC统计的历史数据显示，三星在Galaxy S系列和Note系列的手机销售旺的带动下，2012年Q4整体智能型手机销量站上6300万台，另有分析师预计2013年以来三星每个月平均卖出250万台智能型手机，Q1销量有望突破7000万关卡。
至于苹果iPhone销售量据分析师预期2013年Q1将维持在5000万台左右，苹果新一代iPhone可能在6月份发布，而且计划在第2季开始生产新一代iPhone，以往苹果新机发布总会带动苹果整体销量上升。2012年Q2和Q3由于消费大多等待新机发布，所以销量均跌破3000万台，Q4在新机iPhone 5的带动下销售量成长78%至4780万台，可见苹果新机的冲击力有多大。
图15:苹果、三星智能型手机季度出货量统计 (详情请见PDF文档)
智能型手机市场规模不断的扩大，主战场开始从高端向低端蔓延，三星智能型手机高中低市场通吃，诺基亚也推出多款低端新智能型手机抢占低端市场，欲在中国市场、印度等新兴市场展开大战，根据DIGITIME统计数据，2013年开始中国智能型手机需求量将超越功能机，内需市场将达3.3亿台。
在高端智能手机芯片市场具有较高地位的高通，在2013年也将加大中低端智能手机领域的投入来拓展新兴市场，尤其是中国市场。高通年初发布高端新一代骁龙800、600后，迅速推出400和200系列处理器攻中低端智能型手机市场。
至于长期主攻中低端市场的联发科和展讯，联发科目前双核芯片MT6577营收占比最高，不过四核芯片MT6589在3月预估出货3~5百万，而且MT6572芯片Q1量产，在3月也已交货，预估联发科3月智能型手机芯片出货量将冲上1500万以上，作为联发科长期对手的展讯抢占市场也当仁不让，布局动作频繁。中国市场智能型手机的成长不仅表现在芯片厂商出货量上，也体现了国内手机品牌厂华为、中兴、联想等在智能型手机市场开始能与部分国际大厂一较高下。
据IDC统计数据显示，华为、中兴能在2012年Q4全球智能型手机市占率上排名前五，华为以89.5%的成长率位居第三，仅次于苹果；中兴以48.4%的成长率排名第五，紧跟其后。虽然国内品牌厂华为、中兴与三星、苹果智能型手机销量的差距还很大，但是他们的成长也显示出国内品牌厂可发展的潜力。
国内平板芯片厂带动国产平板出货量不断提高 除了中国市场智能型手机市场可期之外，平板市场规模从2012年也开始快速发展起来，eMMC存储容量一般从8GB、16GB eMMC起跳，今年主流存储容量开始向32GB提升。目前全球依然以苹果的iPad市占率最高，不过2012年Q4市占份额已从两年前的73%下滑至43.6%，随之崛起的是三星、亚马逊、华硕等平板厂，国内平板厂商从2012年出货也表现相当可观，成为平板市场发展的新生力量。
国内主要的平板芯片厂有全志、瑞芯微、晶晨等，全志在2012年推出的A10芯片奠定了在平板芯片市场的基础，2012年底推出Cortex-A7架构的四核芯片A31，2013年已经有平板开始出货，随后又推出A31的双核芯片版本—A20，预计4月开始出货。全志从2012年初单月芯片出货量100万片增长到2013年单月出货量500万片，增长幅度接近50%，成为国内平板芯片厂出货量最大的厂商。
瑞芯微除了RK3066新品，还将推两款A9双核RK3168和RK3028芯片，或将与4月上市，2012年底推出的四核芯片RK3188也将很快上量，瑞芯微从当初不到100万片的月出货量提升至目前月出货250万片，数量已经突飞猛进。其他芯片厂晶晨月出货大约150万片，炬力一个月大约出货50万片，而且目前炬力的芯片最具低价优势，势必推升月出货量持续走高，至于盈方微一个月大约出货40万片。现在国内芯片厂均出现不同幅度的成长，累积单月芯片出货量已超过1000万片，2013年全年出货恐较2012年增一倍。
图17:国内主要平板主控厂单月芯片出货量预估(详情请见PDF文档)
除了国内芯片厂，最具低价产能优势的联发科也将进入平板芯片领域，且主攻中低价市场。据称MTK 8377双核开始大规模量产，MTK 8389将在5月开始大批量上市，联发科方案整合了基带芯片，主推可以通话的平板概念，势必在国内平板市场上再掀波澜。平板市场的中低端市场还主要以使用NAND Flash TSOP为主，而联发科芯片平台只支持eMMC或者eMCP的搭配，势必大幅增加市场对eMMC相关产品的需求。随着双核芯片的不断普及，四核芯片逐渐上量，双核芯片的出货量今年有望超越单核，而且芯片报价也将越来越低，预计2013年将是平板出货量大爆发的一年，同时持续放大的平板市场也将会引来其他领域的厂商转型，投入到平板市场来。
国内平板厂商主要有昂达、台电、蓝魔、酷比魔方等，以前国内大部分厂商一直把硬件配置当作重点发展。现在全志、瑞芯微等芯片技术不断增强且成本低廉，据中关村报价显示，昂达搭载全志A31四核芯片的V972平板售价￥1299元，台电P88平板售价更低；搭载炬力四核ATM7029芯片的蓝魔W41平板售价更在千元以下，现在低价平板也具有高端平板的配置，高性能、低价格可以说是国内平板厂商迅速发展起来的原因之一。
然而，国内厂商如果过度的拼性能和价格，市场普遍出现低价格、高配置的平板，虽然消费者起初会有新鲜感，但时间已久就会出现疲乏感，同时会使刚刚起死回生的生态链胎死腹中，重蹈山寨机经营之路的覆辙。未来内容多样化和软件应用的创新，利用产品的差异化突显自家品牌将是国内厂商要深深思考的问题。
以NAND Flash为储存的缓存服务器或将拉开序幕 除了eMMC，对于SSD产品一直是备受期待的，从2012年开始三星、美光、英特尔等纷纷推出消费性产品搭载的SSD，然而SSD所在的消费性市场仅限于游戏玩家、企业商用及薄型笔记本市场有需求，而且在PC电脑市场SSD和HDD价格相差很大。2012年Ultrabook的定价都超过6000多元人民币，且搭载纯SSD售价都在万元以上，到2013年初售价依然在万元左右，SSD在消费性产品市场的渗透率远不如预期，SSD开始转向服务器存储市场。PC所用的 SSD与服务器用的SSD 消耗NAND Flash比例是 1：4。
据IDC统计的数据显示，包括PC、平板和智能型手机在内，2011年全球智能上网设备出货量超过9亿台，2012年全球智能上网设备出货量增长29%，突破10亿台大关，其他电子产品也逐渐开始转向智能化，将会有更多的上网设备出现。随着智能上网设备的增加，有利的刺激网上购物、移动社交互动、移动存储、移动支付等各种应用迅速膨胀起来，以后这种基于互联网的通信会更加频繁。
另据中国联通/移动今年3月公布的数据，中国联通2月新增3G用户335.9万，累计用户达8348.4万；中国移动2月新增用户575.1万，由于2G用户向3G用户转移增加，新增3G用户951万超越新增总用户。据GSA数据，截至2012年第4季全球LTE用户数已接近7000万关卡，预计今年4G LTE全球用户数将冲破1亿。现在3G和4G的用户不断增加，全球WiFi普及率高速增长，用户上网量及流量均呈现持续扩大的发展趋势。
移动设备成为市场主流，网络数据访问量越来越大，为了提高大量用户访问网页、动态更新、发言、支付数据等回应速度，很多大型门户网站开始对网络服务器架构进行升级。据说Facebook准备将过去以DRAM为储存主体的Memcached缓存系统，改为以SSD为主体的McDipper。用NAND Flash作为缓存服务器存储不仅存储容量较以前提高十几倍、回应迅速，而且断电缓存数据不消失，这是DRAM永远无法做到的。
服务器缓存市场，随着智能手机、PAD、智能终端的大量普及，而且SSD的高速低功耗的性能体现击败了HDD和DRAM缓存，在2013年急剧爆发大量的SSD需求。很多大型网络企业如Facebook、Google、Microsoft等的高价采购SSD，成为Flash原厂最佳利润产品，加上PC的SSD合计已经占据到原厂的30%～40%的NAND FLASH产能。
