2012中国闪存市场年度产业分析报告中国闪存市场网第11期深度报道非完整版 完整报道--PDF版下载

　　2012上半年闪存市场需求低迷且供货过剩，消费类闪存产品：如U盘、SSD、闪存卡和Flash颗粒价格跌价惨重，影响1月至5月整体价格指数走势持续向下，上半年跌幅为42%，而2011年全年整体价格指数下跌幅度才48%， 2012年半年闪存价格指数跌幅已赶上2011全年跌幅，闪存产品价格在2012上半年陷入困境。
　　6月整体价格指数在NAND Flash芯片厂Toshiba(东芝)带头减产及其他厂家严控供货的效应下开始止跌反弹，Flash颗粒、闪存卡、U盘涨价幅度较大，带动整体价格指数持续2个月涨势，不过市场需求依然有限，eMMC、SSD产品价格从高价持续下滑。8月价格在高价出货压力以及需求有限的影响下，闪存产品价格有小幅回落的迹象，但随着9月市场新品备货效应显著，闪存卡、U盘等价格再度持续走高，eMMC、SSD价格或小涨或持平，整体价格指数涨势一直延续到10月上旬。11月在需求减弱的影响下，价格指数成缓跌走势，12月虽然有小旺季助阵，但是闪存产品价格依然未见明显上涨的迹象。

NAND Flash纳米制程技术全面进入2xnm时代 　　2012年主要NAND Flash芯片厂纳米制程技术全面转进2xnm时代，Samsung（三星）主要以21nm技术量产为主，Toshiba（东芝）/SanDisk（闪迪）不断提升19nm技术生产比重，Micron（美光）、SK-Hynix(爱思开海力士)以20nm技术量产，且均开始向1xnm技术转进，在纳米制程技术转进的同时部分NAND Flash芯片厂开始由MLC NAND Flash架构向TLC架构大幅度转进，使NAND Flash在产能大幅度提升的同时，成本也随之降低。
图2：主要NAND Flash芯片厂纳米制程技术时程图 (详情请见PDF文档) NAND Flash接口传输速度提升至400MB/s 　　NAND Flash高速读写采用两种接口标准：ONFI标准和Toggle DDR标准，是Flash芯片和控制器之间快速访问的标准接口。ONFI V1.0规范由Intel（英特尔）、Micron、Phison(群联)、SK-Hynix、希捷等于2006年发布，致力于简化NAND Flash在消费电子产品中的应用，随着新规范的不断推出，传输速度从ONFI V1.0的50MB/s提升到ONFI V3.0的400MB/s，同时也增加了新的功能，比如对交错读取的支持，从而延展读取管道；扩展纠错码信息；EZ-NAND纠错码卸载功能；差分信号技术等。
　　Samsung、Toshiba、SanDisk等采用另一种接口标准，Samsung从2010年便开始投入生产Toggle DDR V1.0接口标准的NAND Flash，Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，同时传输速度提升到了133MB/s，而且较以前的SDR接口功耗更低。2010年发布了Toggle DDR V2.0接口标准，全新Toggle DDR2 接口NAND Flash数据传输速率可提升至400MB/s，比133MB/s的Toggle DDR1接口快3倍，较SDR NAND Flash数据传输速度40MB/s快10倍。
图3：NAND Flash不同厂商采用的接口标准发展 (详情请见PDF文档)NAND Flash芯片产出由扩产变减产 　　2012年NAND Flash芯片厂不断提升2xnm生产比重，而且TLC NAND Flash架构不断成熟，促使NAND Flash芯片成本价格下滑、产出倍增，再加上Samsung Fab 16、Toshiba Fab 5、Micron IM Flash等工厂产能不断产出的推动下，2012年NAND Flash市场产能产出量大约900万片12寸Wafer当量。
　　NAND Flash与DRAM的生产设备差异不大，并且NAND Flash和DRAM都是市场价格波动很大的产品，在2012年，PC DRAM也跌价惨重，甚至一度超过NAND Flash，导致原厂无法将更多的NAND Flash转到PC DRAM，不过mobile DRAM在智能型手机的大量应用，价格稳定和对原厂的利润贡献超过PC DRAM和NAND Flash，部分缓解了DRAM的产出压力。在下半年，原厂将部分NAND Flash和DRAM转产到mobile DRAM ，对NAND Flash价格稳定贡献很大，这也带动了PC DRAM的价格上涨。
　　全球完全能够达到智能型手机低功耗标准要求的mobile DRAM的厂家只有Samsung、SK-Hynix、Elpida（尔必达）等少数几家 。而Micron的mobile DRAM由于技术工艺的限制和功耗较高等原因，导致Micron的产品线缺少利基型存储产品，从Micron的2012年财务报告来看，2012年每个季度亏损2.5亿美金以上。在2013年Micron缺少内嵌闪存产品和mobile DRAM产品支撑其Memory 的利润贡献，可能会导致Micron更多的NAND Flash流入到市场。
　　此外，为了满足平板电脑、智能型手机、SSD等需求的成长，NAND Flash芯片厂在2012年上半年纷纷建立新产线或增加产能。2012上半年Samsung不仅在中国西安开始建设NAND Flash芯片厂，而且还加大京畿道华城16产线的投资，同时提高2012年投资额到47.8兆韩元；Toshiba已于2012年夏天开始动工兴建Fab 5二期新厂房，预计于2013年量产；Micron则买下IM Flash中Intel持有的新加坡工厂和维吉尼亚晶圆厂的股份，变为Micron全资控股；Intel上半年提高2012 年资本支出至125亿美元；SK-Hynix M12、无锡厂计划生产NAND Flash芯片，按规划2012年资本支出由原订4.2兆韩元调高20%至5兆韩元。
图3：2012年NAND Flash工厂产能产出情况(详情请见PDF文档)
　　而到了2012年下半年，为了扭转价格跌势，改善市场供应，Samsung开始转向提升非存储事业比重，计划把生产NAND Flash的14产线、器兴9产线、美国奥斯汀厂转系统逻辑产品和芯片代工，有6万片12寸产能为苹果代工生产芯片，中国西安的NAND Flash厂在2013年底开始产出。Toshiba则减缓Fab 5二期工程的建设。SK-Hynix韩国清洲工厂的M12产线改为生产DRAM与NAND Flash的混合生产线，无锡厂生产NAND Flash计划也将暂缓执行，而且将清州的M8产线转换成以代工事业为重心的厂。NAND Flash芯片厂在下半年均减少NAND Flash产出量，Toshiba曾宣布减产3成，Samsung、SK-Hynix因生产线转产其他产品导致NAND Flash减少产出减产10%左右，目的是维系市场价格稳定。
NAND Flash供货由过剩变紧缺 　　在2012年原厂对智能型手机和SSD的市场需求期望很高，增加NAND Flash产能和大容量的NAND Flash产品，单颗MLC Die有64Gb和128Gb (Micron L85产品)， 但是智能型手机在2012年上半年由于安卓系统完善系统，从Andrid3.2到Andriod 4.1的改进、CPU从单核转向双核和四核，延缓了部分智能型手机的需求；另外一方面Windows 8延迟推出，同时SSD的成本还是远远高于普通的硬盘，也让SSD无法迅速普及上大量，这两个主要期望因素让原厂产出的大量NAND Flash无法消耗，从而被迫将产能转移到消费类市场抛货，导致2012年上半年市场暴跌。在消费类市场，SanDisk和Kingston（金士顿）为了抢夺市占率，在上半年以低价出货，掀起一系列的杀价战,导致市场低价产品倾巢而出。SanDisk由于在低价的TLC NAND Flash芯片上有成本优势，以杀价抢市，Kingston利用渠道及品牌优势也大砍闪存卡、U盘等NAND Flash产品线价格，一度单月价格就下跌大约15%。SanDisk和Kingston是闪存卡和U盘市场的主要供应商，合计市占率超过一半，杀价战让主流规格闪存卡，U盘跌价严重，拖累整体价格指数走势。
　　2012年1-5月价格跌价严重，且以跌临产品生产成本价，大部分供应链厂商已感受到跌价压力，为了扭转市场跌势，NAND Flash芯片厂开始只供货给智能型手机、平板电脑等电子产品品牌厂，对一些中小型通路商采取少量供货或不供货的策略，同时还祭出保价策略，SanDisk和Kingston也不再低价出货。纳米制程技术切换方面，部分NAND Flash芯片厂纳米制程技术转进2xnm时面临挑战，2xnm产出有些懈怠，导致NAND Flash芯片产出减少，不过问题很快得到了解决。市场供货减少，价格也开始出现了明显涨势，尤其是9月备货旺季，市场还出现供货短缺的现象，然而NAND Flash芯片厂供货策略依然未放松。
eMMC/eMCP将主导移动设备内嵌存储 　　eMMC采用统一的MMC标准接口，将存储芯片（NAND Flash）及其控制芯片（Controller）封装在一颗BGA芯片内。eMMC可以很好的解决NAND Flash管理困难的问题，客户只需要选择所需容量的eMMC芯片，无需理会NAND Flash品牌差异、纳米制程技术改变、兼容性等一系列Flash管理难题，从而简化终端产品关于存储方案的设计，缩短市场新产品推出的时间。eMMC的性能以及可靠性也较普通存储卡优越，帮助客户推出具有竞争性的功能应用（比如：eMMC的高速写性能，可以帮助手机客户开发各种高清视频和图像的应用功能），提高用户体验以及用户对产品的黏性。
[eMMC规范发展 促进应用面不断扩大]
　　eMMC规范从2008年的V4.2发展到V4.5，理论写速度也从10MB/s提升至200MB/s，同时根据内嵌产品设计需要，增加很多新功能，并且大幅增强数据防护与处理效率。2012年V4.41 eMMC已成为市场主流，V4.5 eMMC各厂已开始进入生产阶段，预计2013年下半年V4.5 eMMC将替代V4.41 eMMC成为主流。
图7：eMMC标准的功能演进一览表 (详情请见PDF文档)
　　eMMC标准主要是为了解决Flash纳米制程技术升级带来的品质、可靠性下跌的问题，满足用户对高性能、高可靠性存储的需求而开发的芯片，主要应用于需要大容量数据存储的手持终端产品。随着eMMC产品功能增加、速度大幅度提升，eMMC已被智能型手机、中高端平板电脑、Ultrabook、智能电视以及云端服务器等产品广泛应用。
[智能型手机内嵌存储方案转向eMCP/eMMC ]
　　早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP，将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。但随着智能型手机对存储容量的更高要求，NAND MCP目前还主要应用在低端的智能型手机产品中，目前主要规格有4+2（SLC:4Gb,LPDDR1/2:2Gb），4+4（SLC:4Gb,LPDDR1/2:4Gb）等。
　　随着手机所用操作系统的程序代码容量变大，特别是随着Android操作系统的广泛流行，厂商希望在手机中预装大量程序及软件，SLC NAND Flash已很难满足手机对Flash的存储容量需求。Samsung等厂商开始将eMMC和低功耗 DRAM封装在一起，满足手机对较大容量的要求，eMCP存储方案开始得到客户接受，在手机行业中得到广泛应用。但目前只有Samsung、SK-Hynix 等少数厂商有较全的产品规格和稳定供货，对于最终用户来说还有很大的采购风险。目前应用较广的eMCP规格有4+4（eMMC:4GB,LPDDR1/2:4Gb），4+8（eMMC:4GB,LPDDR2:8Gb），16+8（eMMC:16GB,LPDDR2:8Gb）等。目前采用联发科的MT6577的平台的手机，均主要采用eMCP存储方案为主。
　　而高端智能型手机因为PCB空间有限，以及CPU与DRAM高频通讯等特点，中高端手机客户更青睐采用处理器和LPDDR2 进行POP封装，外加单颗eMMC的存储方案，这样可以减轻工程师设计PCB的难度，减少处理器与DRAM通讯信号的干扰，提高终端产品性能。目前采用高通MSM8260\MSM8960，STE的U8500等平台手机，都是采用此方案。
图8：智能型手机内嵌存储方案 (详情请见PDF文档)
图9：MCP、eMCP、eMMC内嵌存储方案对比 (详情请见PDF文档)
[eMMC的主要供应商最新eMMC产品]
　　2012年eMMC生产商主要以eMMC 4.41规范为主，不过Samsung、SanDisk已经推出了eMMC V4.5 规范的产品，比如Samsung的eMMC Pro Class 1500和eMMC Pro Class 2000，SanDisk的128GB iNAND Extreme™产品；银灿eMMC 4.5规格的控制芯片IS510已出货，将发表的eMMC V4.5规格新控制芯片--IS511为2013年主要成长动能之一。
图10：各生产商eMMC解决方案 (详情请见PDF文档)
[价格下滑推动 智能型手机、平板电脑等需求带动eMCP/eMMC需求将持续上升]
　　智能型手机市场需求表现佳，Samsung受惠Galaxy系列的智能型手机销售旺，2012年Q3销售量一举冲上5630万台，苹果则受惠iPhone 5上市，2012年Q4 iPhone销售量将上升至4000-5000万台。高端智能型手机内嵌存储主要以16GB/32GB/64GB eMMC为主，苹果、Samsung等品牌智能型手机的成长成为eMMC出货量的主要推动力。
　　在高端智能型手机不断成长的同时，联发科、高通等炒热低端智能型手中eMMC/eMCP的发展。联发科与高通在2012年下半年已经开始在它们的新平台上采用eMMC或eMCP，联发科的MT6575/MT6515、MT6577/MT6517可支持eMMC或eMCP，而且联发科还发布新四核芯片MT6589；高通除了双核、四核MSM8225Q和MSM8625Q外，又推出两款新四核芯片组—MSM8226和MSM8626，可能2013年第二季才会有样品。四核芯片的推出不仅提高eMMC/eMCP在低价智能型手机的渗透率，而且还将推升eMMC内嵌存储从4GB/8GB向16GB转进，还可以有力的刺激双核智能型手机普及率提升，据IDC数据报告称，2012年全球智能型手机出货量将达7.17亿部，比2011年增长45%以上，2013年出货量依然持续成长，eMMC和eMCP的需求量也将随之继续快速增加。
　　平板电脑市场依然以苹果的iPad为主，不过中低价平板电脑在全志A13、瑞芯微RK2918、晶晨AML8726-MX等双核芯片不断量产的推动下，国内平板电脑以蚂蚁雄兵之势快速成长，据国内平板业者指出，2012年国内平板电脑出货量可上看5000万-6000万台的规模，较2011年1400万台有倍数成长性。
　　而且随着全志A31、瑞芯微RK3188等IC设计厂四核平板芯片陆续发布的带动下，国内低价平板电脑将得到进一步的提升，预估2012年全球的平板电脑总需求将达亿台以上，而eMMC在平板电脑上将得到广泛应用，内嵌存储也将向高容量发展。而且eMMC可能将渗透到更多行业，如车载、学习机、数字电视、IPTV机顶盒等领域，eMMC整体需求量将进一步扩大。
　　此外，NAND Flash成本下跌，而且eMMC控制芯片技术也日渐成熟，使eMMC价格一直呈现下滑的走势。据中国闪存市场网报价显示，2012年eMMC 4GB平均价格从年初的5.25美金下跌至3.3美金，下跌37%。8GB平均价格从9.25美金下跌至6.15美金，下跌33.5%。从目前的价格来看，8GB已临近4GB年初的价格，随着eMMC价格的降低，生产商将更趋向于采用8GB eMMC，并向16GB eMMC转移。
图13：2012年eMMC价格走势图 (详情请见PDF文档)
SSD未来取代传统硬盘将是大势所趋 　　在过去10年中，CPU的性能提升了150倍以上，而传统硬盘才提升了1.5倍不到，这种不均衡的发展，极大的影响了整体性能的提升，尤其在I/O方面，而且SSD（固态硬盘）相比起传统硬盘，它没有磁头，马达，磁盘等一系列的零件，搭载NAND Flash芯片作为存储介质，在运行速度，功耗，轻便等方面是传统硬盘所无法比拟的。
　　目前传统硬盘因为成本低廉等因素依然占据着硬盘市场的主要份额，然而随着SSD的成本不断的降低，技术不断提升与系统更好的支持等因素，而且目前主流的笔记本电脑也都均配置SATA和mSATA接口，包括目前的超极本(Ultrabook)也只有搭载SSD才可能实现“更轻，更快，更低功耗，未来取代传统硬盘也是大势所趋。
[SSD NAND Flash架构由SLC向TLC发展 ]
　　SSD主要是由SSD控制芯片和NAND Flash组成 ，控制芯片性能对NAND Flash 固件管理能力的高低直接影响SSD性能，而NAND Flash按存储技术又分为SLC、MLC和TLC。目前主流SSD控制芯片供应商有Samsung、SanDisk、Marvell、SandForce（LSI）等；台系业者则有慧荣、智微、群联等。
　　2012年SandForce 2281控制芯片被Intel、Kingston的SSD所采用； Marvell新一代SSD控制芯片88SS9187拥有强大的ECC解错能力且支持SATA III，进攻消费级市场、便携平台以及企业市场，Micron、SanDisk、SK-Hynix的SSD都有搭载此芯片；Samsung的SSD采用自家设计的LSI SSD控制芯片，SanDisk设计的控制芯片用在低端的SSD上。随着SSD控制芯片不断升级，可靠性、容错能力等方面均得到了进一步的提升，成本、能耗也明显降低。
　　SSD控制芯片进入新的阶段的同时，SSD的NAND Flash技术也跨入了一个新的阶段，SSD 以前所采用的NAND Flash 以24nm-27nm MLC为主，现在开始广泛采用19nm-21nm NAND Flash生产SSD，而且Samsung还推出了一款采用21nm TLC NAND Flash的PM840 SSD，预计2013年将采用1xnm技术，Samsung自此拉开了SSD MLC转向TLC时代的序幕，相信不久Micron、Intel、SanDisk等也将跟进 TLC SSD。
　　进一步分析，据中国闪存市场网报价显示，12月份Samsung 128Gb MLC (HDG)价格在11美金左右，Samsung 128Gb TLC (BDG)价格大约7.1美金；Samsung 64Gb MLC (LCG) 价格大约5.5美金，Samsung 64Gb TLC (BCG) 价格大约3.75美金，相同容量TLC NAND Flash价格较MLC价格低近30%，SSD价格至少可以降低20%-30%，NAND Flash 纳米制程技术向1xnm迈进，SSD产品价格降低50%也不无可能，SSD SATA III控制芯片价格大约在 15美金以上，未来将向5美金左右迈进，这对SSD来讲将是一个跨时代的改革，同时也将代表SSD民用市场的开始。众所周知，TLC读写次数较MLC大幅降低，如何提升TLC SSD寿命、性能问题将是各厂将要面临的严峻挑战，并接受市场复杂应用的可靠性和兼容性考验。
图14：2012年NAND Flash、SSD价格走势 (详情请见PDF文档)
[Windows 8开启SSD普及新契机]
　　微软的Windows 系列操作系统一直都是电脑的主流操作系统，操作系统对SSD的寿命和读写速度却有很大的影响，Windows XP和Windows Vista并没有着重对SSD进行优化，SSD多线程同时写入和读取数据，每一条新数据都会首先利用NAND Flash容量中未被利用的位置（空闲容量）来进行写入，但当NAND Flash空间被写满后，无空余的空间继续被使用时，速度就会慢下来导致性能降低，而且操作系统在SSD上频繁读写操作会导致SSD寿命减短，所以Windows XP系统下只能采用性能较好但是价格较贵的SLC NAND Flash SSD。
　　到了Windows 7后，对SSD有了较大的优化，比如Windows 7禁用自动磁盘碎片整理功能，减少了对SSD的磨损。Windows 7对存储设备设定分区，解决了Windows XP分区方法导致Read-Modify-Write操作下性能降低的问题。最重要的是Windows 7中专门支持Trim引擎，可以侦测到SSD中各个存储单元的利用率，并且加以平衡，所以Windows 7系统下采用MLC NAND Flash SSD。不过Trim命令是由NTFS系统文件来发送的，由主控进行修剪，如果主控忙时可能会出现修剪命令延期。
　　在Windows 8系统下升级了原有的碎片整理工具，同时针对SSD进行优化以及判断磁盘是机械硬盘还是SSD硬盘，并自动做出对应策略(机械硬盘进行碎片整理，对SSD进行计划修剪Trim)，这样在SSD空闲时针对整个卷来操作，而不是NTFS发出需要 Trim的命令给主控，所以到了Windows8之后就可以大量的采用TLC NAND Flash SSD了。
　　操作系统从Windows XP到Windows 7，再到Windows 8，SSD从SLC开始转向TLC，Intel主力打造的超极本搭载Windows 8系统、SSD存储除了具有高速开机、系统运行和网页浏览外，还将增加价格竞争力，届时市场需求将大增，Windows 8系统可谓开启SSD普及新契机。
[Samsung、Intel、Micron、SanDisk等厂商视SSD为重点发展产品和市场 ]
　　自2012年初开始，主要SSD生产商Samsung、Intel、Micron、SanDisk等开始加速布局SSD市场，纷纷推出新SSD抢市。Samsung上半年便表示要扩大SSD的供给，下半年更推出采用21nm TLC NAND Flash 的PM 840 SSD，让业界大开眼界，2013年将向1xnm NAND Flash SSD迈进；Intel新SSD系列均采用25nm MLC NAND Flash，而且还开始采用自家控制芯片；Toshiba MLC NAND Flash SSD以24nm技术为主；SanDisk SSD也是采用24nm 技术。
图16：各生产商SSD最新产品 (详情请见PDF文档)
[SSD接口由SATA II开始转SATA III]
　　SATA II 的接口传输速度最快为 3Gbps， 2012年消费性产品因应高速传输的需要，SSD SATA接口开始从SATA II向SATA III转进，其传输速度从3Gbps（300MB/s）提升到6Gbps（600MB/s），SSD 接口速度的提升主要是为了提升SSD整体传输速度，但首先我们来看一下NAND Flash的传输速度。
　　早在两年前Samsung和Toshiba就开始着手研发Toggle DDR2接口NAND Flash，目前Samsung 21nm NAND Flash已经从Toggle DDR发展到了DDR2级别，并应用于840系列的SSD上，Toshiba也开始量产19nm Toggle DDR2 NAND Flash。Intel、Micron等共同开发的ONFI V3.0标准，NAND Flash接口速度也增加到400MB/s。从NAND Flash接口传输速度可以看出，SATA II的300MB/s已经无法满足NAND Flash传输速度的要求，Toggle DDR V2.0和ONFI V3.0接口的NAND Flash都是面向4G智能型手机、多核平板电脑、SSD、USB 3.0产品等大容量、高速传输的应用市场，SATA III正好满足市场的发展趋向，所以SATA II转SATA III是必然的。
　　由于SATA III的设计较SATA II要难，SATA III控制芯片价格大约在15美金以上，与SATA II控制芯片3美金左右的价格相比虽然还有很大的差距，可是随着控制芯片的成长，价格问题将很快解决。目前Samsung、Intel、Micron、SanDisk、Kingston等均已推出SATA III的SSD，SSD控制芯片也均支持SATA III接口，随着进入SATA III高速时代后，SSD将在消费性产品上发挥最大效能。
[SSD市场应用规模不断扩大]
　　SSD主要应用于大型网站数据库如Google谷歌，Facebook社交网站数据中心、企业服务器、航天军工、车载电脑、商用PC和个人计算机等企业用和个人消费领域。根据不同应用领域SSD分不同接口，如SATA 、SAS、PCIe 、mSATA等。
SSD所在的数据库、企业存储高端应用市场
　　PCIe 接口传输是最快的，第二代 PCIe 接口提供高达 5GT/s（千兆传输/秒）的速度，未来更有望达到 8GT/s 或更高的速度，所以PCIe SSD主要面向高端存储，如数据中心、服务器集群、云计算等环境；Mini PCIe SSD适合为 I/O 密集型的应用程序提速，或作为理想的缓存解决方案，为服务器和工作站提升性能。SAS接口传输支持6Gbps 的速度，并向12Gbps或更高的速度提升，因此SAS SSD用于处理读/写密集型应用程序的企业存储。PCIe/SAS SSD面向的客户群不仅要有高速度，而且也需要有较强的稳定性，一般存储以稳定性高的SLC NAND Flash为主，随着SSD产品的不断成熟，企业服务器存储开始向MLC NAND Flash SSD转进。
SSD在消费性电子产品上的应用
　　SATA接口的SSD比较适合处理较轻工作负载的产品，比如笔记本电脑、平板、超极本、商用PC等，为了迎合轻携式产品的发展，大部分厂商还推出mSATA SSD小型系统或内嵌系统存储方案，用于平板电脑。
　　2012年底SSD单位GB价格平均在0.6美金，已跌破1美金，不过128GB SSD仍需80美金左右，SSD价格偏高使SSD在消费性产品中渗透率难提升。超极本虽然是搭载SSD的最佳产品，可是搭载纯SSD价格仍高，再者Windows 8初期应用价格难免较高，稳定性也待考验，Intel处理器又不愿让价，搭载128GB SSD超极本售价均在万元以上，导致超极本市场需求在2012年表现不佳。生产商考虑到成本问题，所以部分厂商的超极本以24GB/32GB/64GB小容量SSD+高容量HDD为存储方案上市，市场上超极本搭载纯SSD的并不多。
　　不过，SSD未来的前景依然可观，SSD成本不断下滑，再加上Windows 8、SATA III应用不断成熟，SSD生产商也积极推不同的SSD产品，将为SSD营造一个良好的成长环境，预计2013年SSD需求将有倍数的成长量。
USB 3.0接口逐渐成熟 市场需求升温 　　USB 2.0向USB 3.0发展是业者一直期待的，主要是传输接口速度从USB 2.0的48MB/s提升到USB 3.0的5Gbps（500MB/s），这样的速度对于USB 3.0来说还是比较有诱惑力的。过去的一年中USB 3.0受市场等其他因素的影响，目前市面上各家USB 3.0速度的产品，从10MB/s的速度到90MB/s的速度不等，在市场上有着非常明显速度差别。虽然USB 3.0在2012年对于业界来讲有着不小的震动，各自相应推出各自标准的产品，并无统一规范。并且事实证明USB 2.0依然占主导位置，USB 3.0经历了一年的寒刺骨，2012年终于迎来扑鼻香，但这仅仅是起步，还需要在未来的一年里面更加努力推广。
[Intel处理器、Windows 8系统为USB 3.0提供成长平台]
　　USB 3.0传输速度本身较USB 2.0快10倍，性能表现优越，后来Intel Ivy Bridge处理器集成USB 3.0助长了USB 3.0成长的动力。Intel 2012年主打的22nm Ivy Bridge处理器芯片组原生支持USB 3.0，最新Ivy Bridge构架的Z77、B75、H77等芯片组主板都可支持原生USB 3.0。原生支持USB 3.0即主板集成了USB 3.0控制芯片，当使用USB 3.0时南桥集成的控制器直接启动，无需安装驱动程序，这样让USB 3.0速度有小幅度提升。现在主板厂商可避免不同第三方USB 3.0控制芯片性能差异的影响，降低主板设计复杂性，同时节省成本，对USB 3.0的投入将陆续跟进，现在USB 3.0得到了Intel的支持，再与USB 2.0相比，显得更胜一筹。
　　Windows 8发布后也原生支持USB 3.0标准，微软还对比了USB 3.0和USB 2.0的差别，曾演示了2GB视频文件和1GB照片的复制，Windows 8可以在数秒内完成。如果用主板原生支持USB 3.0功能从USB 3.0 U盘启动安装Windows 8操作系统，安装完成全程使用8分02秒，从USB 3.0接口的U盘复制文件耗时大约3分53秒，4、5分钟安装系统，不到10分钟就可以完成Windows 8系统的安装。
[USB 3.0控制芯片技术推动USB 3.0外围产品的成长]
　　如今硬件、软件均支持USB 3.0，USB 3.0 外围产品需求开始逐渐升温，尤其是USB 3.0盘成长将是一个大跃进。据了解，USB 3.0控制芯片厂慧荣、银灿、群联、钰创、祥硕、创惟等纷纷看好2012年USB 3.0外围产品的成长，2012年下半年出货已有大幅度的提升，2013年将全力冲刺USB 3.0产品。其中USB 3.0控制芯片银灿USB 3.0 U盘控制芯片出货量单月达180万颗，2013年初将挑战200万颗；群联2012年USB 3.0控制芯片月出货已提升至100万颗；祥硕2012年USB 3.0外围应用芯片出货量上看3600万颗。
　　随着USB 3.0控制芯片业者技术的不断推进，USB 3.0控制芯片价格大约在0.6-0.8美金之间，较USB 2.0控制芯片0.2-0.4美金的价格相差无几，但是目前USB2.0产品和USB 3.0的产品在价格、传输速度上还是有一定的差异。
[USB 3.0目前遇到的问题以及未来一年的展望]
　　USB 3.0尤其是更高质量的新上市产品，而市场占有量也有限，目前价格相对于USB 2.0产品还贵上一个台阶。USB 3.0目前无法大量上量的原因之一是对应的外围设备支持与更新换代较慢，用户老的主板及机箱上，大多都配备的是USB 2.0的接口，没有USB 3.0接口的设计。作为普通用户来讲，不会为了增加一个USB 3.0去给自己的电脑更新换代。因此USB 3.0闪存设备的应用还是受到制约。可喜的是：目前苏宁、国美以及电商所陈列的产品都已经配备了USB 3.0的接口。不久的将来，还是能看到USB 3.0产品的蓬勃发展。
　　USB 3.0目前无法大量上量的原因之二是目前平板电脑等的市场随着时间推移在不断增大，个人办公以及娱乐的设备有着明显的分水岭，笔记本电脑完全用于个人办公以及公司办公设备，而平板电脑完全应用于个人娱乐设备。这样的更新也会导致于用户对于笔记本的需求随着平板电脑的上量相应减低。而在平板电脑领域，由于采用内嵌存储为主，对于USB 3.0的需求还没有那么迫切。
　　2012年业界看好COB 3.0的产品，并且对于COB 3.0会在2013年有着非常乐观的预测，但是事实来说，COB 3.0目前各家的尺寸大小都无统一标准，目前来看尺寸以及Connector的标准大概在10种左右，在大家都觉得COB 3.0的春天来临之时，统一COB的标准等应该是各家所急需的。
闪存卡主流应用需求开始萎缩 [SD规范的发展]
　　SD规范从1.1发展到4.0，突出表现在于容量速度不断提高，SD1.1速度最高理论值只有12.5MB/s，随着消费者对容量及传输度的需求，SD协会推出了SD 2.0规范，最高理论熟读提升了一倍到25MB/s。而且还明确规范了产品传输速度等级，以应对不同产品对速度的要求。
　　随着移动存储设备的日日高涨，SD协会规范了exFAT文件格式满足超大文件存贮需求，并推出了SD 3.01规格(UHS-I总线接口协议)以满足大容量文件的快速传输及在不同操作系统的应用，还允许无缝连接桌面计算机和移动设备之间进行文件的拷贝。未来SD 4.0的UHS-II传输速度可达到最高312MB/s，这也是高速传输的一个代表。
[闪存卡应用市场转变]
闪存卡手机用市场进一步衰退
　　闪存卡一直以来被广泛的用于手机，相机等应用市场，尤其以Micro SD为代表的闪存卡一度成为手机的标准配置产品，占据主流的Flash市场应用地位，在eMMC、SSD等产品尚未大规模起量的时候也成为很多公司主要的利润产品之一，但是随着功能型手机的衰退，部分主力应用产品不支持外置存储卡等应用面影响与主要原厂产能产出，成本下降等因素，造成市场需求与价格的衰退与下降，部分公司出现明显的利润下滑甚至亏损。未来随着功能型手机的衰退，智能型手机的普及，并且智能型手机内置4GB以上的eMMC存储容量，对外置的存储就没有必备的需要，从而导致闪存卡总体需求将可能进一步的减少。
新兴产品市场将成为未来发展动力
　　但是随着闪存卡技术不断的推进，客户对应用设备的容量要求不断的增加，闪存卡以成本低廉，便携性与客户认可度等优势，未来将继续在辅助存储设备占据主流市场，也将继续为智能型手机，平板电脑，导航仪，行车记录仪，电子书，MP3/MP4等产品提供强有力的支持，尤其是行车记录仪产品正形成中国的新型重要应用市场，且对存储容量的要求极高，所以未来闪存卡依然具备一定的成长空间，只是将朝更高容量更高速度以及更广阔的市场迈进，部分低容量产品也可以转向取代类似CD,DVD等非环保且易损坏的存储领域，当然也要看原厂对这类产品的支持力度。 2012年终端应用市场需求此长彼消 　　智能型手机和平板电脑市场需求旺，以Samsung智能型手机成长最快，随着Samsung智能型手机规模不断扩大，影响到其他手机品牌业者的成长，从苹果2012年Q1-Q3 iPhone销售数据表明，销售数量呈下滑走势，其他的还有宏达电、诺基亚等手机销售量均受到侵蚀。而国内全志、瑞芯微等低价平板电脑解决方案的不断推出，低价平板电脑开始崛起，导致部分iPad市占率流失，iPad 全球市占率从2012年 Q1的65%下滑至Q3的50.4%。
　　然而智能型手机和平板电脑的发展势头如日中天，随着技术不断进步，智能型手机和平板电脑的应用功能同时影响到了其他电子产品的发展空间，比如功能机、NoteBook、相机、电子书、PC等电子产品。功能型手机需求下滑显而易见，相机市场亦出现了下滑趋势，CIPA统计数据显示，2012年1-9月日本厂商数码相机全球累计出货量较2011年同期衰退12.7%至7592.4万台。电子书在2012年也出现了巨幅下滑，而且下滑趋势将持续。IHS iSuppli曾预估，2012年全球PC出货量为3.487亿台，相比2011年的3.528亿台下降1.2%。
　　2012上半年NAND Flash产能不断增加，在全球经济发展缓慢的大环境下，除了智能型手机、平板电脑需求持续增长之外，其他电子产品需求下滑或成长有限，消费性电子产品需求可谓此长彼消，NAND Flash应用市场既遇新契机也遭遇困境。 2013年NAND Flash市场展望 　　2012年NAND Flash纳米制程技术全面转进2xnm时代，预计2013年将进入1xnm时代，且逐步提升1xnm技术的生产比重，预计2013年每片晶圆Flash Die产出量将再次提升，市场供应量将随之增加。不过NAND Flash原厂不会有新产能增加，而且2013年智能型手机和平板电脑需求量将消耗大部分NAND Flash产能，消费性电脑HDD硬盘存储逐渐转SSD存储，再加上云存储、网络存储的兴起，TV智能化和多屏互动新兴市场成长的带动，将支撑NAND Flash市场的发展。
[智能型手机、平板电脑消费产品对NAND Flash产能的消耗]
　　2013年智能型手机和平板电脑等移动产品市场应用将进一步扩大，是NAND Flash市场成长主要驱动力之一。2012年Samsung、诺基亚、宏达电、联想等厂商智能型手机逐渐向低价市场蔓延，2013年Samsung将持续维持智能型手机快速成长势头，其他品牌厂也均有意提升2013年出货量，再加上国内品牌厂华为、中兴等智能型手机出货的带动，据IDC预计2013年全球智能型手机出货量将超过8亿只逼近9亿。随着四核智能型手机的发展，eMMC在智能型手机中将逐渐趋于主流内嵌存储，而NAND MCP仅用于部分低端智能型手机，市占率将会低于40%以下，智能型手机内嵌存储容量将分别从4GB/8GB向16GB以上容量发展。
　　平板电脑市场在国内全志、瑞芯微等双核CPU芯片的推动下2012年出货量已迅速成长起来，2013年出货量将进一步壮大Android平板电脑出货量，再加上苹果的iPad出货量，预计2013年全球平板电脑出货量将达到1.724亿台。平板电脑内嵌eMMC存储容量将从8GB、16GB向32GB以上容量发展，智能型手机和平板电脑的成长是目前对NAND Flas产能消耗最大的支撑。
[SSD在消费性电子产品、网络服务器、云存储上的应用]
　　现在兴起的云计算将带动云存储、网络服务器存储的发展。简单来说云计算就是使各种应用系统能够通过网络以按需、易扩展的方式获得所需的资源（硬件、平台、软件）、存储空间，这样便形成了超大的存储规模，比如Google云计算已经拥有100多万台服务器，Amazon、IBM、微软、Yahoo等的“云”均拥有几十万台服务器，企业私有云一般拥有数百上千台服务器。大量的存储给SSD带来了成长空间，未来SSD能够进入此领域，将是NAND Flash应用的最大客户。
　　此外，在消费性电脑市场，随着操作系统针对SSD优化，SSD成本下滑，2013年消费性电脑存储开始由传统的机械硬盘转向更低功耗、更高性能的SSD产品，2013年消费性电子产品用SSD需求升温，存储容量将向128GB提升，对于NAND Flash消耗也很大的。
[新兴市场成长对NAND Flash的消耗]
　　除了智能型手机、平板电脑、SSD对NAND Flash大量消耗外，一些新兴市场的成长也将促进NAND Flash需求的成长，比如电视智能化、多屏互动的发展等。
智能电视已开始大量普及Android操作系统，可以通过操作界面进行网络下载、使用、卸载应用程序，进入网络浏览器下载电影、电视剧、视频，录制节目等，还可以通过无线共享功能与其它家庭数码设备互联，无线连接到手机、电脑、相机、打印机等设备，跟智能型手机一样操作简单，只不过携带不方便。目前市场上较高端的智能电视内置4GB和8GB存储容量，会增加对NAND Flash的需求和消耗。
　　多屏互动是基于DLNA协议或闪联协议，通过WIFI网络连接，实现不同操作系统的不同智能设备（如手机，平板，TV等）之间进行内容（如：音频、视频、图片）传输、同时共享展示、控制等一系列操作，刺激消费人群向智能化产品使用的发展，比如：智能电视。