据韩媒援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。

三星电子最初在1c DRAM良率达到60%左右后，难以进一步提高其良率。然而，该司似乎通过在实际量产生产线上部署专门的技术团队（400-500人）并同时“提高”产量，在短时间内提高了良率，从而实现了面向现场的改进。

这款良率达到92%的1b DRAM芯片，其良率被评估为“成熟”，缺陷率控制在接近于零的水平。这意味着三星电子相比竞争对手已获得压倒性的成本优势，并拥有完善的制造能力，能够及时向全球大型科技客户大量供应无缺陷产品。

消息人士称，对于1c DRAM工艺，首要任务是尽快将良率提升至1b DRAM（92%）的水平。

然而，如果工会计划于21日举行的总罢工成真，生产人员在提高1c和1b DRAM良率后不久就离开岗位，工艺稳定性将崩溃，届时将需要投入大量时间和金钱才能恢复到目标良率，来之不易的良率提升成果可能前功尽弃。