华邦电子:DRAM紧缺至2027年,长约占比已达五成
Andy 2026-08-07 16:20华邦电子2026年第二季度财务业绩表现强劲,合并营收达598.43亿元新台币,同比增长184.7%;营业毛利率攀升至66.2%;归属母公司税后净利达243.17亿元新台币,同比暴增超256倍,每股盈余为5.4元新台币。华邦电子总经理陈沛铭预期,本季DRAM价格将继续上扬,Flash产品有望同步调涨,对下半年营运持乐观态度。
【供需格局:结构性缺货延续,存储跃升为“战略资源”】
在AI、数据中心及车用等需求的持续推动下,DRAM供给吃紧的态势将延续至2027年,且明年供需缺口可能进一步扩大。华邦电子指出,此波产业变化与过去的景气循环已有本质不同,AI应用使存储由过去高度商品化的零组件,逐步转变为需要提前规划的战略性资源。
华邦电子表示,部分AI推理应用因拿不到DRAM被迫降低内存配置,需待供应改善后再补足;而大型语言模型训练架构对内存需求较为固定,降规空间有限。尽管产业持续扩产,但预估至2028年全球存储位元产能增幅仅约20%,相较AI产业需求仍明显不足。
【长约策略:LTA占比达五成,研议客户预付资金】
面对严峻的缺货环境,目前华邦电子DRAM长约(LTA)签订比重已达约五成,合约形式涵盖逐季报价、一年固定价格或设定未来数季价格底线等,中长期合约期限大致为1至2年。
展望后市,华邦电子看好存储需求可一路延续至2030年前。随着未来高雄厂Module B新产能启动,长约期限可能由目前的1至2年进一步拉长至3至5年。同时,公司正研议由客户预付约20%至30%的资金,以共同分担新产能的投资风险。LTA将优先提供给具备长期合作基础、需求稳定的策略型客户,不会因短期波动而大量承接消费性订单。目前,已有客户开始提前洽谈2029年至2030年的Module B产能,甚至有客户询问是否能提前下单、数年后再交货。
【产能规划:不拼扩产拼良率,16nm制程成破局关键】
在产能规划上,华邦电子未来两三年不依赖大量新增产能,而是以制程微缩和提升良率作为增加有效产出的核心策略。
高雄厂现有Module A目前月产能约1.5万片,预计年底提高至2.4万片。其中,16纳米DRAM良率目前已接近88%,目标在年底前提升至90%左右。现阶段16纳米月产能仅约2,000片,理想目标是未来将其提高至每月1.6万片,但转换速度仍需视客户对20纳米产品的需求而定。
为应对客户对2029年以后产能的强烈需求,华邦电子正式启动Module B建设,预计2027年1月动工,若工程顺利,2029年1月可开始装机,采取设备陆续到位、陆续启动的模式,预计2029年第四季进入较大规模量产,实际产出与营收贡献将主要集中在2030年。
【产品矩阵:AI服务器引爆NOR Flash,Enterprise SSD迎爆发】
在具体产品端,AI服务器机柜对NOR Flash的需求显著增加,单套机柜预估需使用500至600颗不同容量的NOR Flash,华邦电子有望取得40%至50%的供货比重。高容量NOR Flash的供不应求态势将推动价格上行趋势延续至2026年之后。
同时,车用、工控、机器人、无人机及低轨卫星等新兴应用带动了SLC NAND需求持续升温,价格涨势有望延续至2026年下半年。此外,随着AI数据中心持续成长,Enterprise SSD成为长期必要配置,华邦电子明年供应Enterprise SSD所需DRAM业绩占比,预估将由今年几乎为零提升至约10%。