铠侠与闪迪联合宣布，正式推出其新一代QLC 3D闪存技术。相较于上一代（第八代）产品，位密度实现高达60%的提升，突破37Gb/mm²，在位密度、性能及能效方面均树立了全新的行业标杆。

此次发布的新一代QLC 3D，核心亮点在于应用了革命性的“CMOS直接键合至阵列”（CBA）技术。该技术通过在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与存储阵列，随后利用高精度晶圆对晶圆对准工艺将两者键合在一起。得益于这一架构创新，新一代3D闪存的读写带宽较第八代产品获得显著提升，并成为业界首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存技术。

针对现代AI与云基础设施面临的功耗与散热挑战，新一代技术在接口层面进行了多项优化，大幅提升了I/O数据输出的传输能效，为缓解当前大型数据中心的能耗压力提供了直接的解决方案。

综合来看，第十代QLC 3D闪存技术具备以下四大核心优势：

位密度大幅攀升：采用332层堆叠架构与优化的版图设计，位密度较第八代提升高达60%，突破37 Gb/mm²。

高速接口解锁潜能：借助Toggle DDR6.0与分离命令地址（SCA）协议，实现4.8 Gb/s的NAND接口速率，充分释放高速接口的性能潜力。

CBA架构全面赋能：CMOS直接键合至阵列（CBA）架构不仅提升了存储密度与性能，还进一步优化了制造效率。

I/O传输更节能：引入电源隔离低摆幅终端（PI-LTT）技术，有效改善了I/O数据输出传输的功耗表现。