据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。

三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子（PINO）”的模型，能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日向学术界发表。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

采用铁电材料而非传统硅制造的铁电NAND闪存，作为一项突破性技术，有望解决包括英伟达在内的大型科技公司面临的供应短缺和电力限制问题。该技术能够实现高达1000层的高密度堆叠，同时将功耗降低高达96%。

这项研究之所以备受关注，是因为它是由三星电子与其最大的内存合作伙伴英伟达合作开展的，旨在增强双方在铁电技术领域的竞争优势。对英伟达而言，投资新技术可以解决内存供应短缺问题，避免其人工智能加速器供应链中断，并缓解可能给数据中心客户带来的电力限制。