据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。

通常情况下，DRAM的稳定良率在80%到90%之间。达到这一水平对于最大化DRAM利润至关重要。

业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

除了良率的提升，三星电子也在大幅提升1c DRAM产能，计划将其1c DRAM产能从去年底的每月6万片晶圆提升至今年下半年的每月20万片晶圆。其现有的DRAM生产线正在被改造为1c生产线，而此次扩建的核心是位于平泽的P4工厂。