英特尔日前公布，正与软银旗下子公司SAIMEMORY共同开发一项名为“ZAM（Z-Angle Memory）”的创新内存技术，旨在满足人工智能和高性能计算日益增长的需求。

ZAM采用堆叠式DRAM架构，其性能将超越HBM标准，致力于在需要大规模AI模型训练、推论的数据中心等领域，实现大容量且高频宽的数据处理，并提升处理性能、降低功耗。

英特尔将作为技术、创新和标准化合作伙伴，而SAIMEMORY将负责ZAM的商业化，并提供技术和创新支持。该计划预计将于今年第一季度启动，原型设计计划于2027年完成，并于2029年实现商业化。

据悉，双方目标是将功耗较现行产品减少一半，此外，还将解决散热、性能、供应等问题，研发比HBM更便宜的内存产品。