总投资240亿美元，美光新加坡NAND新晶圆厂动工
Andy 2026-01-27 16:36
美光宣布，位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的一座先进晶圆制造厂正式破土动工，该厂洁净室空间达到 70 万平方英尺，未来十年总投资将达 240 亿美元，预计2028年下半年投产。
据悉，美光正在同一园区建造一座价值70亿美元的先进封装厂，目前正按计划推进，预计将于2027年为美光的HBM供应做出重要贡献。随着HBM成为美光新加坡制造布局的一部分，美光预计NAND闪存和DRAM生产之间将出现协同效应。美光将灵活调整新工厂的产能提升速度，以适应市场需求。
