据韩媒报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。

该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。近日有报道称，在英伟达Vera Rubin的HBM4性能测试中，三星电子在运行速度和能效方面取得了所有内存制造商中的最佳成绩。

此外，三星平泽P5工厂目前正采取“快速通道”策略，即同时进行骨架结构搭建、设备订购和安装，以加快批量生产。三星近期通过内部决策机构决定启动该生产线的框架建设，目标2028年投入运营。但鉴于目前存储半导体严重短缺，且预计从明年开始短缺情况将进一步恶化，业界猜测三星P5的投产日期可能会提前。