据韩媒报道，三星电子正在考虑在V10 NAND产线同时采用Lam Research和TEL的极低温刻蚀设备。上述两家公司均已通过三星电子的下一代工艺新技术性能评估，预计将正式展开订单争夺战。

极低温蚀刻设备在零下60至70摄氏度的环境下进行。该工艺温度比传统环境低30至40摄氏度，技术难度极高，仅有少数设备公司拥有此项技术。

据悉，三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时，连接存储单元（Cell）的通道孔必须比以往深得多。也就是说，通道孔的纵横比（深宽比）急剧增加，需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。

在三星电子NAND闪存制造的蚀刻设备领域，Lam Research一直占据主导地位。新进入供应链的TEL需要供应全新的极低温蚀刻设备，而Lam Research则有望通过升级现有设备来巩固其竞争优势。据悉，Lam Research通过更换已大量供应给V10 NAND的现有设备的模块，实现了极低温工艺技术。

随着设备公司的性能评估完成，预计三星电子将很快进行采购下单。三星电子计划在明年上半年建设V10 NAND量产线，并在试生产后于下半年投入量产。