据韩媒thebell报道，SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资，目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产。

SK海力士2024年8月宣布成功开发1c 16Gb DDR5 DRAM，原计划在2024年年内完成1c DDR5 DRAM量产准备，从2025年开始供应产品。

与前一代1b工艺相比，SK海力士1c DRAM生产率提高30%以上，将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，能效提高了9%以上。

SK海力士推迟1c DRAM量产线建设的原因在于，包括英伟达在内的主要AI半导体公司正在源源不断地涌入HBM订单。SK海力士今年的HBM产能已经售罄，明年的产能计划将在今年上半年完成与客户的最终协商。

据业界分析，HBM的盈利能力是普通DRAM的3-5倍。目前，HBM3 8层（24 GB）和HBM3E 8层（36 GB）产品售价分别在200美元出头和300美元出头。而计划在今年下半年及明年量产的HBM4 12层产品售价预计将超过600美元。

鉴于此，SK海力士正专注于扩大其1b DRAM产能，以作为HBM3E和HBM4核心芯片。其计划于下半年竣工的M15X也将安装1b DRAM量产线。SK海力士在4月举行的第一季度电话会议上也表示：“考虑到当前不确定的外部环境，正如我们之前强调的那样，我们将以需求可预见性高且盈利能力有保障的产品为中心进行投资，并进一步提高投资效率。” 

业界预计，SK海力士将在HBM4E量产后扩大1c DRAM的产能。SK海力士计划从HBM4E开始将1c DRAM用作核心芯片。

据半导体设备业内人士透露，目前主要AI半导体公司对HBM4的需求比预期延迟了，未来HBM4E的量产也可能会延迟。考虑到需求和盈利能力，SK海力士不需要仓促投资1c DRAM。

与SK海力士不同，三星电子正在加快1c DRAM的量产速度，主因其采用1c DRAM作为HBM4核心芯片，并计划于今年下半年实现量产，预计将于2026年开始商业供应。近日有报道称，为提高良率，三星电子决定在1c DRAM生产中采用干式PR（光刻胶）技术。此外，还计划将"飞秒激光"技术引入HBM制造流程。