外媒报道，三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM（第六代10纳米级）生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线，规划产能为每月3万片。

今年1月，据外媒报道，三星电子将其1c DRAM开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月。

通常为了进入量产阶段，开发时期的良率须达60~70%。消息称三星内部设定的开发目标是在2024年12月，将1c DRAM良率提升至70%，但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1c DRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。

根据三星HBM产品规划，计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作，开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行，计划于今年下半年实现量产。HBM4 预计将于 2026 年开始商业供应。