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三星4nm逻辑芯片测试生产良率已超40%

2025-04-17 15:23

据韩媒引述消息人士报道,三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。为了提升逻辑芯片的性能,三星代工业务引入了多项新工艺。

由于该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件,良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。与依赖台积电生产逻辑芯片的竞争对手不同,三星利用自身先进的晶圆代工技术,灵活地为全球科技巨头定制芯片,满足日益增长的定制化HBM解决方案需求。

三星HBM4项目的成功最终取决于其存储部门能否量产其第六代10纳米级(1c)DRAM芯片。此外,封装技术也至关重要。三星采用的是先进的热压非导电薄膜(TC-NCF)技术,在每个芯片之间放置一层薄膜。但业内人士表示,这种方法在热管理方面带来了挑战。

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