据韩媒报道，业内人士27日透露，三星电子最近一直在推行一项计划，以最大产量运营其整个内存生产线。三星电子转向最大产量内存生产的原因是其产能。三星电子目前内部预测，明年其传统内存产能可能会有所下降。

推动明年内存产能负增长的最大因素是“工艺转换”。三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资，并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

DRAM方面，三星电子正在将其旗舰产品1a（第四代10纳米级）DRAM投入HBM生产。三星电子预计到今年年底将HBM​ 最大产能扩大到17万片/月，因此除HBM之外的1a DRAM 生产预计将变得更加紧张。

此外，三星电子还计划扩大1b DRAM（第五代 10 纳米级）的生产。为此，平泽P2和华城15号线现有的1z DRAM（第三代10纳米级）工艺将转换为1b DRAM。目标是今年确保每月约10万片的产能。

NAND Flash，自今年第一季度以来，中国西安晶圆厂一直在进行投资，将现有的 V6 NAND 工艺转换为 V8。西安NAND工厂共有两条生产线，转换是从一条生产线开始进行的。近日有消息称，西安工厂在第八代V-NAND工艺上已取得突破，已向数据中心和手机制造商提供样品进行验证。该工厂为2025年数据中心领域客户预留产能。三星表示，第八代V-NAND供应量将无法完全满足2025年市场需求，3D NAND工艺升级正推动客户向最新技术过渡。

另一方面，预计今年内存需求将超过供应。美光在其最新财报中也表示，预计2024 年 DRAM 和 NAND 的bit需求增长率将在10%左右，预计2024年DRAM和NAND bit供应将低于需求。