据首尔经济与Business Korea报导，三星正规划在P3厂兴建半导体产线，持续与相关材料、零组件及设备供货商洽谈采购事项，预定P3厂建设完工后，立即进行176层(第七代)NAND Flash产线建设，每月投片量预估为12英寸晶圆4万~5万片，2022年4月搬入机台设备。

报导称，西部数据有意购并铠侠、美光量产176层NAND等消息，均显示市场竞争激烈。三星唯有尽快取得先进NAND产线，才能拉开技术差距响应对手攻势，因此规划优先在P3厂建设NAND产线。

2022年下半年P3厂还会建设因应DDR5 DRAM的14nm极紫外光(EUV)DRAM产线，以及3nm晶圆代工产线。此外，三星也会在华城、平泽厂区进行最新制程转换，将韩国半导体产能提高到每月投片量15万片。

此外，三星也持续积极投资，三星电子副会长李在镕宣布未来3年内将投资240兆韩元(约2,017亿美元)，其中140兆韩元可能用在半导体投资，预估2022年三星的设备投资金额将刷新历年最高纪录32.9兆韩元。