全球内存行业正式启动下一代DRAM标准"DDR6"的市场化进程。这项旨在突破DDR5物理极限的新技术，将为高带宽计算需求提供全新内存平台解决方案。

据业界消息，三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发，正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s，后续计划提升至17600MT/s，达到现行DDR5最高速度（约8000MT/s）的两倍以上。

DDR6采用与DDR5完全不同的基础架构。DDR5采用2×32位（64位）通道结构，而DDR6创新性地设计为4×24位（96位）配置——通过增加通道数同时缩减位宽，在保证高速运行信号完整性的同时，对电路设计精度提出更高要求。

随着信号传输约束加大，业界正加速采用CAMM2取代传统DIMM封装。这种薄型宽面设计能支持更多通道，被视作面向高性能笔记本和服务器的下一代理想封装方案。

根据规划，DDR6将于2026年完成平台认证，2027年率先在服务器市场商用，随后向高端笔记本等消费级市场扩展。虽然延续了DDR5从服务器/HPC领域逐步渗透的路径，但业界预计AI与高性能计算（HPC）的爆发将加速DDR6普及进程。

由于采用尖端集成技术，DDR6初期价格或将与2021年DDR5上市时相当。预计首批客户将集中在超大规模数据中心和AI研究机构等对极致性能有刚性需求的领域。