由于Flash各家原厂64层3D NAND量产256Gb或512Gb单颗Die，以及新一代具有成本优势的3D NAND积极导入到eMMC、SSD等产品中应用，使得NAND Flash价格持续下滑。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，2018年NAND Flash综合价格指数已累计下滑29%，已基本回到2016下半年的水平，NAND Flash每GB价格已下探至0.17美金。

2016年-2018年5月NAND Flash综合价格指数走势

来源：中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

NAND Flash价格持续下滑，主要是因为原厂64层3D NAND已具有2D NAND的成本优势，但更值得关注的是美光与英特尔推出64层3D QLC NAND，相比三星、东芝、美光、SK海力士等64层3D NAND单颗Die容量增加了一倍。由于QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）具有更高的存储优势，其单颗Die容量可高达1Tb，这将意味着每GB NAND Flash成本将会持续下滑。

此外，东芝将在7月份开始新建Fab 7工厂，预估2019年开始投产，以东芝3D NAND技术发展进程推算，预估新工厂建成后将用于量产96层3D NAND，若再采用QLC架构，预计单颗Die容量将更高，每GB NAND Flash成本也将进一步下滑。

除了东芝，传三星和SK海力士计划加码投资，以强化半导体制造能力，其中三星计划把芯片制造设施投资从27.3兆韩元提高至30兆韩元；SK海力士资本支出将提高至15兆韩元。

2018年以来Flash原厂建厂、加码投资等动作不断，比如三星西安二期、东芝Fab6/7、美光Fab10三期等。就各家建厂进程而言，新工厂投产时间预计将会落在2019年以后，所以对目前的NAND Flash市场影响不大，但可能会引起市场恐慌系数的上升，从而影响市场价格波动。

至于美光和英特尔新推出的64层3D QLC NAND，由于高密度优势，以及各家原厂非常看好SSD市场发展前景，所以会优先用于SSD产品上，预估对SSD市场有影响，同时可能会刺激SSD价格进一步下滑。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，截止到5月下旬，SSD 120GB价格从年初的32美金下滑至27美金，累计下滑15.6%；240GB价格从60美金下滑至44美金，累计下滑27%；480GB价格则由130下滑至86美金，累计下滑34%。

展望后市，2018年Q2市况优于首季，但依然面临着很多的压力，随着台北电脑展即将在6月初拉开序幕，有助于市场需求的回温，而且在Q3旺季到来之前，厂商可望提前启动旺季备货动作，但仍需密切关注NAND Flash市场供需变化，灵活控制库存水位，把握市场先机。