据韩媒报道，三星电子正加紧恢复位于韩国京畿道的平泽第五工厂（P5）的建设，旨在确保下一代高带宽存储器（HBM）的抢先产能。消息称，三星计划最早于下个月破土动工，恢复投资。

三星电子最初计划2024年开工建设P5工厂，但由于半导体市场状况恶化而推迟了建设。

此外，为了顺利向NVIDIA供应HBM4，三星电子还计划将10纳米级第六代（1c）DRAM工艺引入平泽四号工厂（P4）的空置生产线。这是一项战略举措，旨在利用业界最先进的工艺批量生产HBM4专用DRAM。

目前，三星电子已完成HBM4的内部量产审批，并正在准备样品生产。此前有报道称，三星7月提供给英伟达的 HBM4样品已通过初期测试和质量测试，在8月底进入“预生产”阶段。HBM4将被应用在英伟达的下一代 AI 加速器“Rubin”。

英伟达计划在2026 年第一季度完成其 "Rubin" AI GPU 所需12层HBM4的最终质量资格测试，届时将敲定首批 HBM4 供应商。