美国商务部宣布，根据《芯片法案》向三星电子提供47.45亿美元补贴，比4月份宣布的64亿美元初步金额减少了16.55亿美元，减幅达26%。

三星电子从美国获得的补贴金额少于此前确认的英特尔（78.65亿美元）、台积电（66亿美元）和美光（61.65亿美元）的金额。考虑到三星电子的投资计划出现了一些变化，补贴与投资的比例仍然较高。

三星电子的补贴占投资比例为12.8%，高于美光（12.3%）或英特尔（8.7%）。SK海力士相比投资的补贴比例为11.8%，台积电为10.3%。

三星电子的补贴削减与其减少美国投资计划有关。今年4月，三星电子曾宣布计划到 2030 年将其在德克萨斯州泰勒市的半导体投资从170亿美元扩大到440亿美元。但根据美国商务部最新公告，三星电子对两家先进半导体制造厂、泰勒市研发设施以及奥斯汀现有生产基地扩建的投资总额将达到370亿美元，比PMT协议中概述的初步计划减少了16%。

对此，三星电子表示，其中长期投资计划已经调整，以优化整体投资效率。

三星电子于12月17-19日召开了全体高管的战略会议，会上回顾了其半导体业务战略。据韩国媒体报道称，讨论内容包括考虑存储价格下跌的对策、以 HBM 为中心重组生产、制定独特的代工战略以及在美国政府补贴最终确定后重建生产计划。