日本半导体设备厂佳能宣布，该司采用「纳米压印(Nano-imprint Lithography；NIL)」技术、可用低成本制造高性能先进芯片的微影设备「FPA-1200NZ2C」已出货给美国半导体联盟「TIE」 。这是佳能宣布在2023年10月开始销售NIL微影设备后、首度进行出货。此前佳能曾表示，该微影设备售价仅ASML极紫外光(EUV)微影设备的几分之一。

NIL微影设备可用来生产5nm芯片，经过改良后还可进一步用来生产2nm芯片。佳能表示，目标3-5年内每年卖出十几台。

由于纳米压印技术需使用软性材质的光刻胶材料，适合使用在规则性结构如DRAM和NAND FLASH，而逻辑芯片只有少部分的结构可以使用，因此纳米压印技术仍无法完全取代EUV微缩技术。

佳能开发纳米压印光刻技术超过15年时间，合作伙伴包括大日本印刷及存储厂商铠侠。佳能此前表示，首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造，而不是更加复杂的微处理器。佳能的目的不是要抢走EUV的市占，相信纳米压印技术与EUV乃至其他种类的技术能够并存。