SK海力士HBM3的容量是HBM2E 的1.5倍，由12个DRAM芯片堆叠而成，总封装高度相同，非常适合AI和HPC等容量密集型应用。

SK海力士HBM3可提供6.4Gbps 的 I/O 速度，带宽提高 1.8 倍。此外，还具有强大且定制设计的片上ECC（纠错码），使用预分配的奇偶校验位来检查和纠正接收数据中的错误。嵌入式电路允许 DRAM 自行纠正单元内的错误，从而显著提高设备可靠性。

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