三星 DDR4 DRAM
产品概览
业界首创的 1x 纳米工艺技术使 DDR4能够消耗更少，能降低 25%。同时提供更高的性能，降低总体成本。1.2V 低工作电压和伪开漏 （POD）速度可达3200Mbps。
技术规格
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业界首创的 1x 纳米工艺技术使 DDR4能够消耗更少，能降低 25%。同时提供更高的性能，降低总体成本。1.2V 低工作电压和伪开漏 （POD）速度可达3200Mbps。
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