铠侠/闪迪共同宣布，基于第10代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb TLC已开始送样。该产品将主要应用于企业及数据中心SSD，旨在满足AI时代对存储设备高性能、大容量及低功耗的需求。新品将在日本岩手县北上工厂Fab2利用现有先进设备制造。

第10代BiCS FLASH™延续了CMOS直接键合阵列（CBA）与间距选择栅漏极（OPS）技术，实现了显著的性能提升：

速度：NAND接口速率达4.8 Gb/s，较第8代提升33%。

密度：通过332层堆叠及横向密度优化，存储密度超过29Gb/mm² ，位密度提升59%。

能效：写入与读取功耗效率分别改善18%和30%，有助于降低数据中心运营能耗。

在业界部分竞争对手追求400层以上超高堆叠层数的背景下，铠侠/闪迪选择了332层堆叠的技术路径。据测算，该设计展现出以下特点：

成本：每GB成本比400层以上方案低约10%。

能效：功耗效率优化约10%。

可靠性：单元可靠性高出约35%，为企业级应用提供稳定性保障。

这一策略表明，铠侠/闪迪 在技术演进中注重在实际应用场景中实现性能、成本与可靠性的平衡。

铠侠目前同步推进两条产品线以满足多元市场需求：

第9代方案：以较低投资成本提供高性能表现。

第10代技术：凭借先进层堆叠技术，主打大容量与高性能。