美光科技宣布其位于印度古吉拉特邦萨南德的半导体封装测试工厂开业。这座工厂将来自美光全球制造网络的先进DRAM和NAND晶圆加工成成品存储器和存储产品。

美光已向戴尔科技交付了首批印度制造的内存模块，用于戴尔面向印度市场推出的印度制造笔记本电脑。美光预计到 2026 年，萨南德工厂的芯片组装和测试量将达到数千万颗，并在 2027 年达到数亿颗。此次在印度扩大传统组装和测试业务，是对美光在美国发展先进制造和封装能力的有力补充，并进一步加强了公司的全球组装和测试网络。

另据外媒报道，美光已正式启动位于美国爱达荷州博伊西总部附近的新晶圆厂建设，用于生产尖端的HBM4（第六代）内存芯片。该工厂选址优越，并获得了美国商务部《芯片法案》补贴，预计将大幅缩短建设周期，目标是在2026年下半年实现量产。

美光HBM4将在2026日历年第二财季按计划量产并实现高良率产能爬坡。

美光最新举措旨在巩固其在英伟达下一代AI GPU Vera Rubin供应链中的领先地位。目前，美光正通过为英伟达Blackwell系列显卡供应HBM3E来提升市场份额，同时，也计划通过强调“美国制造”的优势来扩大下一代HBM4标准的订单量。具体而言，美光希望利用其1-gamma工艺，实现比竞争对手高出20-30%的能效。