据业界消息，三星电子和SK海力士正在为特斯拉开发第六代高带宽存储器（HBM4）芯片原型，预计在测试样品后，特斯拉将选择其中一家作为其 HBM4 供应商。

HBM芯片是运行超级计算机，具有海量数据集的 AI 模型的关键部件之一。HBM4预计将带来重大变革，包括接口宽度的增加、堆叠层数的提升、功耗的降低以及工艺的改进。这些技术进步将进一步满足AI、HPC和数据中心等高性能应用的需求。

HBM4将用于特斯拉正在开发的AI数据中心及其自动驾驶汽车，目前这些汽车配备了HBM2E芯片。

除了特斯拉，三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片，这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

三星电子HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始，预计测试产品将于明年初左右发布，验证产品的运行后，预计还将进行设计和工艺改进。目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片，并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率，才能满足HBM4内部量产进度。

SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4，核心芯片采用1b DRAM，同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺量产逻辑芯片。近期有报道称，SK集团董事长崔泰源透露，英伟达CEO要求SK海力士将HBM4芯片的供应提前六个月。SK海力士首席执行官表示，这是有可能做到的。目前尚不清楚这是否会改变 SK 海力士此前宣布的 生产时间表。