长鑫科技公告称，拟使用超募资金人民币130.00亿元投资新建技术研发项目；同时通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（下称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50.00亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

上述新项目投资方案已于9月28日经长鑫科技董事会通过，后续需经股东大会审议批准后方可推进。

资金背景：超募368亿元，本次动用180亿元

长鑫科技原计划通过IPO募集资金295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级，以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。最终其IPO募集资金总额达666.07亿元，扣除发行费用2.96亿元后，募集资金净额为663.10亿元，超募资金金额达368.10亿元。

本次拟使用的180亿元超募资金，对应两大新项目合计349亿元的投资总额。

项目细节：研发端重设备，后道端补产能

DRAM技术研发项目：将在位于安徽省合肥经济技术开发区的12英寸存储晶圆生产基地内实施，属于开发下一代DRAM核心技术与工艺的业务，建设周期为30个月。值得注意的是，在241亿元的总投资中，有223.98亿元（占93%）将投入设备购置——虽以“研发”名义立项，但投资绝大部分集中在生产与研发设备的获取上。

后道测试能力扩充：长鑫科技将通过子公司长鑫产品合肥，在合肥市肥西县建设一座测试工厂，为DRAM芯片提供测试与模组组装服务，建设周期为37个月。

技术代际完整，市场份额逼近10%

长鑫科技已完成从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，并实现从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖与代际演进，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

作为继三星电子、SK海力士、美光之后的全球第四大DRAM厂商，据CFM数据显示，长鑫存储二季度DRAM销售收入达145.45亿美元，环比增长99%，市场份额已逼近10%，排名第四。这主要得益于占据其供应比重主要份额的mobile LP4X/5X价格涨幅领跑其他应用市场，使其DRAM销售收入环比增幅位列第一。