据韩媒ddaily报道，SK海力士近日表示，计划以下一代内存技术满足AI时代的需求，强调HBM（高带宽内存）和CXL（计算高速链路）内存的互补作用。

SK海力士认为，随着内存需求随着AI模型性能的提升而快速增长，HBM带宽的限制变得更加明显。由于HBM的带宽已经达到极限，很难完全满足AI所需的高性能工作负载，CXL内存作为一种备受瞩目的解决方案，可以补充HBM的局限性。

CXL是基于PCIe的下一代接口标准。用于连接中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）、SSD、DRAM等。与现有的内存结构不同，CXL内存支持在服务器外部以内存池的形式被多主机共享，实现内存资源的高效分配。

CXL内存允许在 CPU 和 GPU 之间灵活共享内存资源，消除瓶颈并降低数据中心的总拥有成本 (TCO)。通过 CXL 启用内存池，可以在需要时动态扩展内存，从而最大限度地提高数据中心的运营效率。因此，使用高速接口且易于扩展容量的基于CXL的DRAM产品作为下一代内存解决方案而受到关注。

· 三星电子今年内量产基于CXL 2.0的256GB CMM-D，目前正在与主要客户进行验证；

· SK海力士正在对96GB及128GB容量的CXL2.0存储器进行客户验证，计划在年底实现量产；

· 美光基于CXL2.0的CZ122已上市，存储容量256GB，存储带宽37GB/s；

· 江波龙已推出64GB、128GB、192GB CXL 2.0内存拓展模块，带宽32GB/s，512GB正在研发中；

· 佰维存储推出了CXL 2.0 DRAM，容量为32GB、64GB、96GB，带宽可达32GB/s；

· 宜鼎国际64GB CXL 2.0内存模块将于2025年Q1开始出货。

另据韩媒ET News消息，SK海力士近期与ASICLAND签订311亿韩元（约2,256万美元）规模的CXL控制器设计合约，期限至2026年6月30日，CXL控制器的生产将交由台积电代工，目标是用于CXL 3.0 DRAM。

目前，CXL控制器市场由澜起科技和Rambus瓜分。三星电子、SK海力士等公司的CXL DRAM中安装的CXL控制器均由澜起科技和Rambus提供。SK海力士希望通过推动CXL控制器内部化来提高产品利润。

据悉，三星电子也在开发自己的CXL 控制器，目标是应用于CXL 3.0 DRAM。预计设计将由三星电子系统LSI部门进行，量产将由三星电子晶圆代工厂进行。