据业界消息，三星电子正在加快产品开发，目标在明年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。业界分析，三星此举是为了在SK海力士之前量产HBM4，以此夺回在HBM3 和 HBM3E方面失去的市场份额。

HBM4流片工作预计将于今年第四季度开始，预计HBM4测试产品将于明年初左右发布，验证产品的运行后，预计将进行设计和工艺改进。

三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片，并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率，才能满足HBM4内部量产进度。日前曾有消息称，三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”，好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说三星电子内部给出了“希望出现了”的积极评价。

SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4，核心芯片采用1b DRAM，同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺将量产逻辑芯片。

12层HBM4将被用于NVIDIA和AMD的下一代AI加速器。 NVIDIA和AMD将在2026年推出配备12层HBM4的AI加速器Rubin和MI400。