南亚科技与铠侠合作开发垂直通道晶体管DRAM技术
Andy 2024-10-22 15:58
南亚科技与铠侠将将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管 DRAM 技术，专注于降低功耗并实现极低的漏电流。
该技术通过改进制造工艺来增强电路集成度，以满足高密度应用对能效和性能日益增长的需求，包括人工智能驱动的设备、后 5G 通信和物联网，为内存小型化和省电提供显著优势。
南亚科技与铠侠将将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管 DRAM 技术，专注于降低功耗并实现极低的漏电流。
该技术通过改进制造工艺来增强电路集成度，以满足高密度应用对能效和性能日益增长的需求，包括人工智能驱动的设备、后 5G 通信和物联网，为内存小型化和省电提供显著优势。
