据外媒报道，台积电在美国的首座先进晶圆代工厂亚利桑那州厂试产良率已近似台南同级厂房，意味着其扩张计划取得成功。

报道称，台积电进行了为期数月的试生产，以生产出缺陷率低的 N4 晶圆。晶圆现已送至台积电实验室进行测试，其良率已与台湾本土工厂持平。这表明，台积电在美国扩张的努力迄今为止被认为是成功的，因为先进的芯片制造是非常复杂的过程，只有少数制造商和极少数地方可以完成。台积电亚利桑那州厂有望在 2025 年上半年开始量产。

对此，台积电通过电子邮件表示，亚利桑那州厂「一如规划、进度良好」，内容中并未提及良率。

据悉，除亚利桑那州的工厂之外，台积电还计划在2028年前在该州建立第二家工厂，生产2纳米和3纳米芯片。此外，台积电还将在凤凰城建设第三座 2 纳米及更先进节点的工厂，这将使台积电在美国扩张计划的总价值达到 650 亿美元，其中 66 亿美元来自《芯片法案》拨款，50 亿美元来自美国政府贷款。