据韩媒报道，在近日举行的SK年度经营战略会议上，SK集团高管深入讨论了AI、半导体等未来业务的大规模投资战略。

其中，SK海力士将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（82万亿韩元，约合595亿美元）投资于高带宽存储器（HBM）等AI相关领域。

据悉，SK海力士清州M15X将投资超过20万亿韩元，其中工厂建设费用为5.3万亿韩元。就M15X而言，半导体生产设施(Fab)于去年4月开始建设，计划于明年11月竣工后生产包括HBM在内的DRAM产品；龙仁半导体集群计划于明年3月开始建设第一座晶圆厂，并于2027年5月竣工；SK海力士计划投资38.7亿美元在美国印第安纳州建设一座封装工厂。

SK海力士还计划在明年左右开始生产第六代HBM HBM4，比计划提前一年。