产业资讯

返回 主页

内容开始

SK海力士称其HBM产品比竞争对手坚固60%

AVA 2024-06-12 11:05

据韩媒报道,SK海力士声称,其HBM 采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造,比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固 60%。

报道称,SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试,结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明,HBM 可以承受外部物理冲击,而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

业界认为,这份报告是 SK 海力士强调其优于三星电子和美光科技等竞争对手的 HBM 制造技术的方式。SK 海力士是英伟达等主要 AI 半导体公司的 HBM 领先供应商,并与台积电一起处于先进半导体封装领域的前沿,该公司预计这些结果将吸引其主要客户。

SK海力士还展示了其下一代封装技术“垂直扇出(VFO)”的开发状态。该技术涉及在没有半导体基板的情况下将四个LPDDR存储器垂直堆叠在计算单元顶部,称为扇出晶圆级封装(FOWLP)。

更多资讯

top

深圳市闪存市场资讯有限公司 客服
Copyright©2008-2024 CFM闪存市场 版权所有

恐慌性抛售阶段已过!存储现货市场询单动作增加 打开APP