据韩媒报道，SK海力士声称，其HBM 采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造，比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固 60%。

报道称，SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明，HBM 可以承受外部物理冲击，而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。

业界认为，这份报告是 SK 海力士强调其优于三星电子和美光科技等竞争对手的 HBM 制造技术的方式。SK 海力士是英伟达等主要 AI 半导体公司的 HBM 领先供应商，并与台积电一起处于先进半导体封装领域的前沿，该公司预计这些结果将吸引其主要客户。

SK海力士还展示了其下一代封装技术“垂直扇出（VFO）”的开发状态。该技术涉及在没有半导体基板的情况下将四个LPDDR存储器垂直堆叠在计算单元顶部，称为扇出晶圆级封装（FOWLP）。