相关信息显示，三星再次启动新一轮扩产计划，将为新工厂设备投资约17兆韩元（约合145亿美元），2020年Wafer每月新输出产能将超过10万片，其中NAND Flash月产出约6.5万片， DRAM月产出约5万片。

三星2020年2座新工厂将投产，1座新工厂在建

根据规划，三星2020年投产的两座新工厂分别为中国西安二期一阶段和韩国平泽二期新工厂，虽然在2019年曾传出计划推迟等消息，但随着存储产业需求好转，三星重启投资计划，两座新工厂都将如期在2020年投产，且将重点放在NAND Flash的投资上。

据悉，三星除了购买新设备外，还计划将京畿道华城16线工厂设备迁至西安第二工厂，将于2020上半年开始投入生产，投资金额9.5兆韩元，初期月投产规模约6.5万片NAND Flash，而平泽将投资7.3兆韩元，其中平泽1号工厂使用闲置的空间，2号工厂计划在2020上半年进行设备安装，下半年投入生产，初期月投产规模分别约2万片和3万片DRAM。

另外，三星西安（中国）12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式开工，将投资80亿美元用于新建工厂，预计于2021年下半年竣工。根据3D NAND技术发展，三星第六代V-NAND（128层TLC NAND）在2019年已可实现256Gb和512Gb 3D TLC NAND的量产，预计新工厂投产先进3D NAND的可能性较大，而且三星也曾表示将在平泽厂扩大生产规模，NAND Flash产出会进一步扩大。

三星重点投资NAND Flash，只因竞争激烈，铠侠/西部数据投资步伐紧追其后  

三星是DRAM和NAND Flash重要的供应商，据中国闪存市场ChinaFlashMarket统计，2019年Q3市场排名，在DRAM市场上，三星市占率45.9%居首，与排名第二的SK海力士（市占28.4%）相比，占据绝对的优势。

但是在NAND Flash上，三星市占率33.5%，排名其后的是铠侠（19.1%）和西部数据（13.7%），由于两家合资的工厂产能共用，若合计计算，三星和铠侠/西部数据在NAND Flash市场上的占有率不分伯仲。

各家原厂新工厂NAND Flash投产进度

虽然，铠侠和西部数据在2019年财报亏损严重，但是对于未来NAND Flash前景看法乐观，对于投资也不手软。据悉，铠侠和西部数据在岩手县北上市投资70亿日元，新建的K1新工厂计划于2020年上半年开始生产3D NAND。

另外，铠侠还将于2020年底在四日市工厂内兴建Fab 7工厂，用于投入生产最新的3D NAND，该新工厂也是由铠侠和西部数据合资建设，根据一般的建厂进度，该工厂将可能在2022年投入生产。铠侠和西部数据在NAND Flash的投资步伐，不免让三星有所忌惮，尤其是在存储产业好转的2020年。

2020年NAND Flash将上演供需博弈，DRAM则相对保守

由于NAND Flash供过于求，三星曾减少资本支出，2019年累计前3个季度同比下滑24%，总投资16.8兆韩元，其中半导体为14.0兆韩元，显示器为1.3兆韩元。不过，根据三星在2019年Q3财报中预计，2019年的资本支出总额为29兆韩元，其中半导体23.3兆韩元，显示器2.9兆韩元，资本支出与2018年基本持平。

NAND Flash市场经过1年的调整，库存已经恢复到正常水平，自2019下半年开始，数据中心、服务器等领域为了驱动5G网路的发展，数据库对存储的需求强劲，尤其是对高容量的SSD，3D Xpoint傲腾产品需求量大，再加上手机品牌厂5G旗舰机上市需求热络，以至于原厂将NAND Flash产能优先供货给数据中心客户，以及保证PC和手机市场需求，导致其他市场资源供应紧张，同时原厂也加紧了在2020年NAND Flash扩产的步伐。

相较于NAND Flash，DRAM市场似乎显得谨慎。就目前而言，DRAM供应商三星、SK海力士、美光等对DRAM的投产相对保守，除了三星增加DRAM新产能外，美光日本广岛新工厂B2会投产，也正计划在台湾地区兴建晶圆厂生产DRAM，但大部分DRAM供应还是依靠纳米制程技术提升满足市场需求，2020年三家原厂将扩大1Znm工艺技术提高DRAM产量。