东芝东京展19nm的128G NAND
Helan 2013-02-04 09:09
东芝在于东京有明国际会展中心举行的“nano tech 2013”（第12届国际纳米技术综合展）上展出了集成有采用19nm工艺制造的128Gbit NAND闪存的300mm晶圆。作为量产品，该晶圆内应用了业界最尖端的工艺技术，同时还导入了3bit/cell（Triple Level Cell：TLC）的多值化技术。
19nm工艺新采用了利用空气间隙将相邻浮游栅隔开的构造，抑制了存储单元间的干扰。这样就能够确保与24nm级工艺同等的工作可靠性。东芝计划通过采用空气间隙技术等，使浮游栅型NAND闪存在19nm工艺以后的时代不被淘汰。
此次展出的128Gbit产品采用TLC技术，因此擦写次数只有几百次。据介绍，这个水平比2bit/cell（MLC）产品低一个数量级，因此用途仅限于U盘和存储卡等。
除了微细化和多值化以外，东芝还致力于通过NAND芯片的多段积层实现封装的薄型化。比如，将厚度降至30μm的64Gbit芯片通过引线键合积层16层，实现了128GB的薄型封装。
