由于2D工艺向10nm靠近，NAND Flash可持续性发展的瓶颈越来越明显，2016年原厂纷纷加快投产3D NAND，影响2D NAND产出减少，而3D NAND产出又相对有限，导致市场供不应求。在智能型手机和SSD大容量需求带动下，市场价格从5月下旬开始持续一个多月的涨势，NAND Flash综合价格指数累积高达16%。

在NAND Flash缺货持续发酵的影响下，涨势已蔓延到主流应用的eMMC、SSD产品上，而Micro SD产品由于价格持续冲高，再加上智能型手机需求成长趋缓，以至于厂商出货压力大增，6月下旬闪存卡价格开始有所回落。经过一个多月的市场消耗后，8月整体NAND Flash价格走势平稳，随着季节性需求减弱，预计Q4供货紧张的市况将会有所缓解。

随着3D技术的快速发展，三星、东芝均向64层堆叠提升，存储密度也将从256Gb提高到512Gb，产出也至少可以提高30%，3D NAND竞争急剧升温，这意味着NAND Flash生产成本将进一步下滑。

为了提高3D NAND产量，原厂量产的3D NAND专用工厂已陆续进入量产阶段，比如：东芝新建的Fab 2工厂、三星Fab 16、美光F10x、英特尔大连工厂、SK海力士M14等，预计在2017年3D NAND将倾巢出笼。

在移动互联网时代，数据存储需求与日俱增，3D NAND更高的性能和更大的存储容量，将给对高容量NAND Flash消耗较大的SSD和智能型手机带来新的应用，但若终端需求无法及时消耗原厂新出的产能，NAND Flash市场将再次陷入供过于求的局面，价格也将有下滑的风险，3D NAND的来临，是挑战也是机遇。