上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（简称：长鑫科技/长鑫存储）科创板IPO申请12月30日获受理，且已预先审阅。

长鑫存储拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。其中，存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目总投资额为75亿元，拟投入募集资金75亿元；DRAM存储器技术升级项目总投资额为180亿元，拟投入募集资金130亿元；动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目总投资额为90亿元，拟投入募集资金90亿元。

来源：公开信息

招股书显示，长鑫存储2025年1-6月营收为154.38亿元，净利润-40.88亿元；2024年营收241.78亿元，净利润-90.51亿元；2023年营收90.87亿元，净利润-192.25亿元；2022年营收82.87亿元，净利润-91.71亿元。

来源：公开信息

长鑫存储预估，2025年营收为550亿-580亿元，同比增长127.48%-139.89%；净利润为20亿-35亿元，同比增长122.1%-138.67%；归属于母公司所有者的净利润为-16亿-6亿元，同比增长77.61%-91.6%；扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润为28亿-30亿元，同比增长135.58%-138.12%。

目前，长鑫存储已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。长鑫存储在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。