ASML CEO Christophe Fouquet近日在接受媒体采访时称，预计High NA EUV 光刻机将于2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产作业中。

新一代High-NA EUV光刻机采用0.55数值孔径镜头与非等倍率光学技术，可将电路尺寸推进至2纳米以下，进一步提升芯片性能。目前英特尔、台积电、三星已开始试验此设备，英特尔支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。

此外，ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发，为下一个十年的芯片制造铺路。