9月4日，中微公司宣布推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。

在刻蚀技术方面，中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP 电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE®基于成熟的 Primo HD-RIE®设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。

Primo UD-RIE®引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层调节边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热管理，有效提升了设备的稳定性和可靠性。同时，Primo UD-RIE®还采用了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件，不仅提高了抗电弧放电能力，还显著提升了晶圆边缘的良率，为生产先进存储芯片提供了有力保障。

此外，中微公司推出的12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash金属栅系列，成为薄膜沉积领域的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

中微公司上半年财报显示，2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长约53.70%，研发投入占公司营业收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发投入水平。