据韩媒报道，三星电子已开始为组建1c DRAM生产线下达半导体设备采购订单。部分退火设备已完成订购，三星正与合作伙伴商讨沉积设备订单规模。此外，基于1c DRAM的半导体芯片封装设备供应商也在遴选中。

熟悉情况的业界人士表示："三星正为1c DRAM量产同步推进多项采购，将在多个晶圆厂组建产线"。

三星近期已完成1c DRAM开发，并结束量产转移前的生产认可流程（PRA）。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

此次投资包含被称为"技术迁移"的现有产线转换与新建产线同步推进。据悉三星电子平泽P2和P3现有的1x、1y以及1z产线将转为1c DRAM产线，平泽4工厂（P4）则将进行新建投资。新产线建设预计涉及现有设备迁移与新购设备进驻。

业界预测通过此次投资，三星电子到明年上半年将形成月产能15-20万片晶圆（以投片量计）的1c DRAM生产能力。这超过2022年半导体繁荣期三星的投资产能（约13万片），反映出其构建1c DRAM大规模量产体系的决心。

据半导体设备行业相关人士透露，目前除了三星平泽工厂，其华城和负责封装的天安工厂，与1c DRAM投资相关的设备采购订单也在讨论中，预计将掀起三星电子主导的设备投资热潮。