据韩媒the bell引述业界消息，为应对HBM需求激增，SK海力士正筹备在清州M15工厂增设HBM专用后工序产线，这是该工厂第二次增设HBM后工序产线。此前，SK海力士已在M15建立HBM硅通孔（TSV）加工产线。

此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能，将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉，SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

选择改造M15工厂NAND产线的原因在于SK海力士当前可用晶圆厂空间几近饱和。除预计今年竣工的M15X和M8工厂外，SK海力士需待2028年后才能启用新建工厂（龙仁工厂、美国印第安纳工厂），因此短期内只能通过重组现有设施提升HBM产能。

NAND市场低迷也是改造M15的动因之一。由于需通过关停并迁移部分产线来腾挪空间，相比高利润的DRAM产线，调整NAND产线更为可行。半导体材料业界人士表示："M15的NAND产线开工率持续低迷，SK海力士此次布局显然与NAND市场疲软相关。"

SK海力士计划通过此次产能调整，为M15X工厂的DRAM量产提供支持。该工厂拟投产10纳米第五代DRAM（1b DRAM），其芯片可应用于HBM4等产品，但受限于空间约束，预计仅能满足部分产能需求。

此外，SK海力士正在重整清州M8工厂以扩充HBM后端工序产能。该工厂此前因SK海力士系统IC设备迁至中国无锡而闲置，虽因设施老化难以用于前端工序，但面对产能瓶颈，SK海力士决定将其改造为HBM后端工序专用产线。

对于M15是否追加HBM后端工序产线投资的问题，SK海力士回应称"尚未最终确定"。