消息称三星电子将在高带宽存储器（HBM）制造中引入"飞秒激光"技术。该技术通过以千万亿分之一秒的极短时间发射高功率激光来切割半导体晶圆，旨在提升产品性能和良率。这是三星电子为增强HBM市场技术竞争力所实施的全方位举措。

据业界12日消息，三星电子DS事业部近日向天安园区引入了基于飞秒激光的晶圆切割设备。天安园区是三星生产HBM的封装核心基地。

HBM的制造需将在晶圆状态下的多层电路刻印DRAM进行堆叠后切割。此次是飞秒激光设备首次被引入该切割工序。

飞秒激光器是一种能产生千万亿分之一秒级激光脉冲的装置，其特点在于相比传统机械式（金刚石刀轮）或纳秒（十亿分之一秒）激光能实现更高精度的晶圆切割。该技术尤其以切割线宽极细著称，可避免损伤晶圆原有电路和布线，并能最大限度减少杂质污染。此外，它无需预先进行切割路径刻划（开槽）即可一次性完成切割，有助于提升生产效率。业界认为三星引入该设备旨在提高HBM品质与产能。

据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入，实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

熟悉该领域的业界人士评价称："这是三星为扭转HBM市场局面，通过全面革新晶圆切割工艺来提升良率等竞争力的尝试，属于其存储器竞争力复兴战略的一环。"

在HBM市场竞争落后背景下，三星正聚焦"根源竞争力重塑"，从DRAM设计到HBM制造全链条推进技术革新。在关键切割工序中选择飞秒激光作为突破口。据悉三星自去年起就已筹备引入该技术。

日前据韩媒报道，为提升电路质量，减少信号干扰，三星电子决定在1c DRAM生产中采用干式PR（光刻胶）技术，并已在平泽P4工厂完成相关设备安装。