英伟达已向三星电子、SK海力士和美光等核心存储合作伙伴发出通知，决定调整低功耗DRAM模组SOCAMM的应用规划。原定在"Blackwell"架构GB300产品中首发的SOCAMM技术，现将延后至下一代"Rubin"架构平台导入。

据业内人士透露，此次调整主要源于技术优化考量。英伟达在持续提升AI加速器运算效能的过程中，为确保产品良率和系统稳定性达到最佳状态，经评估后决定采取更为稳健的技术导入策略。这一调整将使SOCAMM模组获得更充分的验证周期，为下一代AI计算平台提供更成熟的存储解决方案。

SOCAMM是一种新型内存技术，由英伟达与内存制造商合作开发，整合多颗LPDDR，提高电源效率。相比传统内存，功耗降低约30%。此外，与现有LPDDR产品采用板载方式不同，SOCAMM可插拔，便于效能升级和维护。