据韩媒报道，美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体所产TC键合设备，为12层 HBM3E的扩展建立设备基础。

报道称，美光去年对韩美半导体TC键合机的采购量约为30~40台，而今年上半年的订单规模就超过了这一水平。

美光在其FY2025Q2财季(2024年12月-2025年2月)财报中表示，其业界领先的HBM3E与竞品相比功耗可降低30%，且美光12层堆叠HBM3E（HBM3E 12H）比竞争对手的8层堆叠产品的功耗降低了20%，同时内存容量提高了50%。

目前美光已开始批量生产12层HBM3E，并专注于提高产能和良率，预计2025年下半年，12层HBM3E将占HBM总出货量的绝大部分。另外，美光HBM平台和客户认证取得了良好进展，8层HBM3E已应用于英伟达GB200，12层HBM3E将应用于GB300。

第二财季，美光开始向第三大HBM3E客户批量出货，随着时间的推移未来还会增加更多客户。美光预计2025日历年HBM总市场规模将达350亿美元以上，比之前预估的300亿美元有所提高，并预计2025年第四季度有望HBM份额达到与整体DRAM供应份额相当的水平。

美光表示，2025日历年HBM已售罄，而2026年HBM市场需求将保持强劲态势，目前，正在与客户就2026日历年HBM需求协议进行讨论。