据韩媒引述业界消息，三星电子已制定目标，即在今年上半年内完成HBM4产品和PRA的开发，这是量产的第一步。PRA是满足三星量产内部标准并进入量产阶段的审批流程。

据此分析，三星电子打算将HBM路线图提前约六个月。三星电子原计划在今年上半年量产HBM3E产品，供应NVIDIA等，下半年量产下一代HBM“HBM4”产品，但最近似乎改变了目标根据市场情况提前推进时间表。

分析认为，引领AI半导体市场的NVIDIA在加速其AI加速器的开发方面产生了重大影响。NVIDIA原计划于明年推出下一代 AI加速器“Rubin”，但最新预计将提前6个月至今年第三季度。据悉，每个Rubin单元配备了8个HBM4，HBM4时代正式开始，HBM制造商正在根据NVIDIA新产品的推出进行调整，以推进开发和量产。

SK海力士已经在加速HBM4的开发和量产，SK海力士CEO郭鲁正表示，将于今年下半年开始量产第六代HBM（HBM4）。在日前的CES上，SK集团董事长崔泰源表示，目前SK海力士的开发速度稍微领先于英伟达，且今年的（HBM）供应量已经在工作层面决定了。

三星计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片，并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此确保1c DRAM的量产良率，是将HBM4路线图提前半年的重要前提。三星电子已于去年10月首次确保了这款1c DRAM的良率，目前正致力于通过提高生产的高质量产品的比例来对其进行升级。