三星电子宣布其位于韩国器兴园区的新半导体研发中心（NRD-K）正式投产。

NRD-K 于 2022 年破土动工，并将成为三星存储、系统 LSI 和代工半导体研发的重要研究基地。三星计划到 2030 年在其器兴园区内投资约20万亿韩元（约合143.3亿美元）建造该综合大楼，占地面积约 109,000 平方米。该综合大楼还将包括一条研发专用线，计划于 2025 年中期开始运营。

三星器兴园区位于首尔南部，是 1992 年全球首款 64Mb DRAM 的诞生地，标志着三星在半导体领域的领导地位的开始。新研发设施的建立将带来工艺技术和制造工具的最新发展，延续该园区在创新前沿的传统。

NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外，还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。

今年第三季度，三星在研发方面投入了创纪录的 8.87 万亿韩元（约合63.6亿美元），并不断突破界限，以确保未来技术的竞争力，例如用于高带宽存储器 (HBM) 生产的先进封装。