日前，一站式IP和定制芯片企业芯动科技宣布，已完成全球首个基于中芯国际 FinFET  N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。

芯动科技表示，自 2019 年始，芯动在中芯 N+1 工艺尚待成熟的情况下，团队投入数千万元设计优化，率先完成 NTO 流片。基于 N+1 制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破 N+1 工艺良率瓶颈。

之前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％。

外界认为中芯国际的N+1代工艺相当于台积电的7nm工艺，不过中芯国际随后澄清说，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。

从性能指标看，功耗，逻辑面积，SoC面积都和7nm相当，当时性能稍差，真正7nm性能应该提高35%，而N+1只有20%。

4月1日中芯国际年报会议上，中芯国际表示N+1工艺的研发进程稳定，已进入客户导入及产品认证阶段。之前该公司表示去年底试产了N+1工艺，今年底会有限量产N+1工艺。