三星电子3D NAND技术突破：光刻胶用量减半降成本
Andy 2024-11-26 16:11
据业界消息，三星电子最近制定了工艺路线图，在最新的3D NAND闪存工艺中将PR（光刻胶）应用量减少近一半，从而成功降低成本。
此前，每次涂抹使用量为7-8cc，改进工艺后，用量已减少至4-4.5cc。三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量，并在施加后调整蚀刻条件的方法，从而减少了PR的使用量。
据业界消息，三星电子最近制定了工艺路线图，在最新的3D NAND闪存工艺中将PR（光刻胶）应用量减少近一半，从而成功降低成本。
此前，每次涂抹使用量为7-8cc，改进工艺后，用量已减少至4-4.5cc。三星电子采用了调整施加PR的涂布机设备的旋转量，并在施加后调整蚀刻条件的方法，从而减少了PR的使用量。
