据路透社报道，SK海力士技术长Seon-yong Cha 14日在荷兰举行的ASML投资人日上通过预录影片表示，正考虑引进造价4亿美元的High NA EUV光刻设备，生产下一代存储芯片。

此前曾有报道称，SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术，首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进。目前其具体计划，如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露，但预计最早可应用于0a（个位数纳米级）DRAM产品的量产。

High-NA EUV通过进一步提高 EUV 的性能来瞄准 2 纳米工艺。NA是镜头像差，数值越高，分辨率越好。现有EUV的镜头像差为0.33，High-NA EUV的镜头像差更高，为0.55。ASML的首款High-NA EUV 设备“EXE:5000”型号已知售价为3.8亿美元。目前英特尔和台积电均已下单该设备。