DRAM厂商南亚科技看好明年DDR5渗透率提升，对于南亚科目前主攻的DDR4/LPDDR4以下的市场，有助于该市场的库存消化，回到健康的供需。

技术推进方面，目前10nm第二世代8Gb DDR4已近完成试产，并开始投片DDR5产品，预计明年第二季开始验证，目标明年下半年小量交货，另外，也开始在设计LPDDR4与LPDDR5的产品，明年逐步试产。

对于更下一阶段的制程开发，南亚科技表示，10nm第三阶段目前在做测试芯片，进度符合预期，也开始EUV制程的开发，这部分是与欧厂合作，通过对方设备做开发，算是相对早期的进度，已有正面结果，实际量产要等南亚科技新厂建好，才会有量产的规划。